NMOS管(N-Metal-Oxide-Semiconductor)是一种电子器件,其栅极C-V曲线(电容-电压曲线)是描述其栅极电容与栅极电压之间关系的曲线。 在C-V曲线上,可以观察到几个重要的特性: 1.平坦区:在较低的电压范围内,曲线相对平坦,表明栅极电容变化较小。这表明NMOS管在此区域内的性能较为稳定。 2.斜坡区:随着电压的增加,...
现实情况下的C-V曲线略有不同,这是理想MOS的曲线 C_{ox} 始终为定值 \frac{\varepsilon_{ox}}{t_{ox}} ,而 C_{dep} 需要根据不同情况决定, 虽然在大信号下的所有直流分析下电容都视为开路,但大信号的值决定了施加交流小信号后的交流分析中的电容,例如一般情况下MOS工作时处于强反型,即大信号 V_{...
网站导航:求职面试>正文 题目题型:选答,填空 难度:★★★15.5万热度 画出NMOS 的特性曲线(指明饱和区,截至区,线性区,击穿区和C-V曲线) 温馨提示:一定要认真审题,用心答题! 正确答案 点击免费查看答案 试题上传试题纠错
一个场效应管的转移特性曲线如图所示,指出它的类型,读出它的夹断电压以及饱和漏电流。 A、N-JFET,夹断电压Vp是- 4.5V ,饱和漏电流IDSS是 5.4mA B、P-JFET,夹断电压Vp是 4.5V ,饱和漏电流IDSS是 5.4mA C、耗尽型NMOS,夹断电压Vp是 4.5V ,饱和漏电流IDSS是 5.4mA ...