电路的直通电流小于MOS的漏极电流ID的最大额定值。耗尽型器件在VGS=0V时也有漏极电流流过,是正常导通器件,所以不太适合在开关电路中使用。 图2-4:NMOS驱动等效 如图2-4所示,建议负载R放在高侧,避免负载产生显著压降(开通时,S极电位接近VDD),影响GS的电平,导致NMOS开启关闭受影响,这在后面SCD系列里面会再次讲...
不过PMOS一般是用在电源端,应用与供地的电路。 MOS管降压稳压电路 上图是一个非常经典的低成本MOS管降压电路。下面具体分析一下: NMOS管Q2在这里其关键作用,用来降压稳压。它是工作于放大区的。假设NMOS管Q2的Vgs值为2.5V,那么NMOS管Q2的源极输出电压为12V-2.5=9.5V左右,这个时候B+这边的电压发生一定范围的跳动...
NMOS管是N型金属-氧化物-半导体,把有这种结构晶体管叫作NMOS晶体管。 N-MOS管的D极和S极导通条件:G极与S极之间电压差超过阈值的时候; 在实际应用时:要控制N-MOS管的开,关,是在控制信号接G极,S极接GND,D极与S极导通,Rds(on)(导通电阻)很小,在电流流通后,它所形成压降很小。 电路图(模拟测试)如下: ...
NMOS场效应管反向电流保护电路图 简化过的电荷泵电路,直接连到RC滤波。 振荡电路:用比较器搭出,施密特振荡触发器取代555。 实际:如果用运放替代比较器,用双运放芯片即可一个运放振荡。 去掉了另外比较器上迟滞,比较器内部带迟滞处理。 若:如果用运放代替,则要加上。 VB A T T V>VL O A D V,钳位反相输入...
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图:NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5