一、NMOS导通电阻的产生 NMOS的导通电阻是在其工作在线性区时,漏源两端沟道存在的阻性连接。这个阻性连接是由于沟道中任意位置氧化层两端的电压超过阈值电压而产生的。在这种情况下,沟道中的电子会被吸引到漏极,形成漏源电流,同时也会在沟道中形成一个电阻。 二、NMOS导通电阻的表达式 NMOS的导通电阻的表达式可以通...
NMOS晶体管线性区导通电阻详解 导读 NMOS晶体管工作在线性区时,漏源两端的沟道存在阻性连接,以下文字对这种阻性连接进行简单介绍。 NMOS晶体管工作在线性区时的漏源电流表达式为式(1),在该工作区下阻性沟道直接连接漏源两端,沟道中任意位置氧化层两端的电压只要超过阈值电压,就能产生这种阻性连接。 (1) 任意位置氧...
PMOS管和NMOS管的导通电阻是不同的。 在相同的工艺、耐压等条件下,NMOS管的导通电阻为0.036W(W就是欧姆的意思,形状很像符号Ω),而PMOS管的导通电阻要大得多,其值为0.117Ω。 然而,这并不能作为PMOS管的导通电阻比NMOS要大的直接证据。事实上,在相同的工艺及尺寸面积条件下,PMOS管的导通电阻确实要比NMOS管...
在相同的工艺、耐压等条件下,NMOS导通电阻为0.036W(W就是欧姆的意思,形状很像符号Ω),而PMOS导通电阻要大得多,其值为0.117Ω,当然,这并不能作为PMOS管的导通电阻比NMOS要大的直接证据,然而事实上,在相同的工艺及尺寸面积条件下,PMOS管的导通电阻确实要比NMOS管要大,这样PMOS开关管的导通损耗比NMOS要大。 将P...
在相同的工艺、耐压等条件下,NMOS导通电阻为0.036W(W就是欧姆的意思,形状很像符号Ω),而PMOS导通电阻要大得多,其值为0.117Ω,当然,这并不能作为PMOS管的导通电阻比NMOS要大的直接证据,然而事实上,在相同的工艺及尺寸面积条件下,PMOS管的导通电阻确实要比NMOS管要大,这样PMOS开关管的导通损耗比NMOS要大。
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为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大-透彻详解
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