假设一长沟道NMOS晶体管栅极电压和漏极电压均为2.5v,源级和体端均接地,晶体管阈值电压Vt0为0.4v,试问此时MOS沟道电容如何分布? A. 栅源和栅漏之间均匀分布 B. 全部分布于栅和体之间 C. 全部处于栅源之间 D. 全部处于栅漏之间 如何将EXCEL生成题库手机刷题 > ...
第一电流源连接地面和第一和第二NMOS晶体管的来源;第一PMOS晶体管,其中其源连接到VDD电压;第二PMOS晶体管,其中其源连接到VDD电压和漏之间的连接到正终端负载和终端的第二个电流源第一;其中第三PMOS晶体管源,连接到VDD电压;第四PMOS晶体管,其中其源连接到VDD电压;第五PMOS晶体管,其中它的源连接VDD电压,其漏极...