本发明涉及一种NiO/GaN半垂直PN结二极管及制备方法,属于半导体器件技术领域,解决了现有技术中技术难度高,工艺复杂,成本高的问题.二极管自下而上包括衬底,高掺杂浓度N型氮化镓层,低掺杂浓度N型氮化镓层,低空穴浓度氧化镍层和高空穴浓度氧化镍层;低掺杂浓度N型氮化镓层小于高掺杂浓度N型氮化镓层在衬底上投影面积;低空穴...
近日,纳微半导体宣布,蔚来汽车发布的首款手机NIO Phone采用了纳微下一代搭载GaNSense™技术的GaNFast™GaN功率芯片,其最大充电功率达66W。 蔚来为该款手机配备了一颗5200mAh的大容量电池,随手机标配的GaNFast™快速充电器体积仅为57×57×30mm(97.5cc),功率密度达到了1.03W/cc。这一领先的功率密度得益于内置...
依托先进的半导体TCAD仿真平台,天津赛米卡尔科技有限公司技术团队设计了一种具有p-NiO插入终端结合侧壁MOS场板的混合式肖特基势垒二极管结构(Hybrid TMBS),期望通过该设计能同时改善传统GaN基SBD的正向导通特性和反向击穿特性。 图1展示了技术团队设计的Hybrid TMBS器件结构(Device A3),该结构的设计核心是利用p-NiO插入终...
Xiaomi小米67W 2C1A GaN兼容性测试:双C口功率盲插,兼容65W PD 04:53 除苹果、三星外,可能是兼容性最好的智能手机:moto X30 Pro充电兼容性测试 05:04 vivo X90 Pro充电兼容性测试:支持120W有线闪充,第三方稳定17W输出 04:05 最高支持120W快充,第三方最高20W输出:小米13 Pro充电兼容性测试 03:57 ...
然而,传统的GaN基SBD在正向导通特性和反向击穿特性方面仍存在一些挑战。为了解决这些问题,天津赛米卡尔科技有限公司的技术团队设计了一种具有p-NiO插入终端结合侧壁场板MOS结构的混合式肖特基势垒二极管(Hybrid TMBS)。图1展示了这种Hybrid TMBS的器件结构(Device A3),其设计核心在于利用p-NiO插入终端与侧壁场板MOS结构...
NiO/AlGaN interface reconstruction and transport manipulation of p-NiO gated AlGaN/GaN HEMTsAuthor: Hui Guo, Hehe Gong, Xinxin Yu, Rui Wang, Qing Cai, Danfeng Pan, Jiandong Ye, Bin Liu, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng单位/Institute: 南京大学电子科学与工程学院 展开更多...
2 岗位要求硕士及以上学历,2年及以上视觉、视频、脸部重建或人体重建等方面直接工作经验;具有图像处理相关工作经验,熟悉人脸/肢体生成,语音/文本驱动表情/动作等算法等方向2 熟悉主流GAN、diffusion model、nerf等算法;有相关算法落地应用优先;3. 掌握TensorFlow,PyTorch等开源工具中的一种及以上; 5在相关国际会议或...
NIO蔚来成立于2014年,是一家中国的新能源汽车制造商。作为造车新势力之一,蔚来致力于推动电动汽车的发展,并提供智能化、高端的电动车产品。 目前大部分的手机厂商与车企的合作方式都是推出智能汽解决方案;而作为车企的蔚来则是选择自己造手机,建立自己的生态,进一步提升车主的用车体验。除了跨界造手机外,蔚来还和TEGI...
[图像方向]在以下至少一个领域有深入的研究:包括但不限于:Diffusion Model, GAN, VAE, 图像生成/编辑, 图像和谐化、风格迁移、多模态内容理解; 2. [NLP方向]熟悉NLP算法, 在领域内有成熟实践经验(如文本分类/序列标注/句对关系判断/文本生成/聚类等), 有 LLM/RM/RHLF 模型训练和优化实践经验优先 3. [...
这篇文章对nio的api讲解比较全,可以帮助在宏观上把握nio。 BIO 方式使得整个处理过程和连接是绑定的,只要连接建立,无论客户端是否有消息发送,都要进行等待处理,一定程度上浪费了服务器端的硬件资源,因此就有了NIO 方式。Java 对于 NIO 方式的支持是通过 Channel和 Selector 方式来实现,采用的方法为向 Channel注册感...