采用多层薄膜结构制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶,该薄膜热电偶依次由M基超合金基片、McrAlY过渡层、Al2O3热氧化层、Al2O3绝缘层、NiCr/NiSi薄膜热电偶层以及Al2O3保护层构成。主要研究了热电偶层薄膜厚度和时效处理对热电偶性能的影响以及温度对Al2O3绝缘层绝缘性的影响。静态标定结果表明,热电偶层厚度对NiCr/NiSi...
薄膜热电偶陶瓷复合材料静态标定塞贝克系数极限使用温度在碳纤维增韧补强碳化硅陶瓷复合材料( CFCC-SiC)表面制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶。传感器结构自下而上依次为CFCC-SiC陶瓷基底、SiO2过渡层,Al2 O3绝缘层及NiCr/NiSi热电偶层。对所制备传感器进行了静态标定,其在300℃~700℃范围内具有稳定的热电动势输出,平均...
功能-结构一体化NiCr/NiSi薄膜热电偶的制备王从瑞1蒋洪川1陈寅之1张万里1刘兴钊1唐磊2于浩21.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054; 2.中国燃气涡轮研究院测控室,四川江油621703摘要:采用多层薄膜结构制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶,该薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al2O3热氧化...
功能-结构-体化NiCr／NiSi薄膜热电偶的制备
seebeckcoefficient;ultimate—usetemperatureEEACC:7230Mdoi:10.3969/j.issn.1004—1699.2014.03.005CFCC—SiC基底NiCr/NiSi薄膜热电偶制备及性能研究术马旭轮,苑伟政,马炳和,邓进军(西北丁业大学,空天微纳系统教育部重点实验室,西安710072)摘要:在碳纤维增韧补强碳化硅陶瓷复合材料(CFCC—SiC)表面制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶...
磁控溅射法制备NiCr／NiSi薄膜热电偶温度传感器 维普资讯 http://www.cqvip.com
It can be seen from the analysis results that the NiCr/NiSi TFTCs are suitable for measuring transient temperature which varies quickly, the response speed of TFTCs can be obviously improved by reducing the thickness of thin-film, and the area of thermo-junction has little influence on dynamic...
金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶的制备及性能研究 采用电子束蒸发和磁控溅射法在Ni基超合金基片上制备NiCr-NiSi薄膜热电偶,薄膜热 电偶依次由Ni基超合金基片,NiCrAlY过渡层,Al2O3热氧化层,氧化铝绝缘层,NiCr-NiSi薄膜... 姚飞,蒋洪川,张万里,... - 《电子元件与材料》 被引量: 16发表: 2010年 ...
表2-3 多信道温度计算机采集系统的技术指阵 Table 2-3 multi-channel temperature computer acquisition system of technical indicators 测量温度范围 0~2000 ℃温度测量分辨率优于0.5 ℃采样周期 ~100 ms通道数工作环境 -10~+50 ℃通道数 1~8个(可由程序选择)所用热电偶 NiCr-NiSi热电偶使用多信道采集系统时...
NiCr-NiSi薄膜热电偶静态标定塞贝克系数采用电子束蒸发和磁控溅射法在Ni基超合金基片上制备NiCr-NiSi薄膜热电偶,薄膜热 电偶依次由Ni基超合金基片,NiCrAlY过渡层,Al2O3热氧化层,氧化铝绝缘层,NiCr-NiSi薄膜热电偶层以及氧化铝保护层构成.对此薄膜 热电偶样品的静态标定结果表明,所制备的金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶在25...