80NF03L-04-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术制造,封装为 TO263,适用于高性能功率管理和低压操作的电子设备。该器件在 30V 的漏源电压 (VDS) 下工作,栅源电压 (VGS) 为±20V,阈值电压 (Vth) 约为 1.7V。具有极低的导通电阻和高达98A 的漏极电流能力,适合于需要高效能耗管理和快速响应的应用。
VBsemi 80NF03L-04-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装,适用于需要高电流和低导通电阻的电源管理和开关电路应用。具有30V的最大漏源电压和极低的导通电阻,适合在高性能电子设备和系统中使用。 ### 二、详细参数说明 - **型号**: 80NF03L-04-VB - **封装**: TO220 - **配置**: 单N沟道 - **...
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型号 STP80NF03L-04 技术参数 品牌: ST 型号: STP80NF03L-04 封装: TO-220 批号: 20+ 数量: 2800 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流:...
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部件名STP80NF03L-04 下载STP80NF03L-04下载 文件大小360.2 Kbytes 页11 Pages 制造商STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] 网页http://www.st.com 标志 功能描述N-CHANNEL30V-0.0035ohm-80AD2PAK/I2PAK/TO-220STripFET??IIPOWERMOSFET DESCRIPTION ...