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ND2020L N-Channel Depletion-Mode MOSFET Transistors Product Summary Part Number V(BR)DSV ND2012L 200
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ND2020LTA 规格参数 生命周期: Obsolete Reach Compliance Code: unknown 风险等级: 5.76 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压: 200 V 最大漏极电流 (ID): 0.132 A 最大漏源导通电阻: 20 Ω FET 技术: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR 最大反馈电容 (Crss): 5 pF JEDEC-95代码: TO-...
型号:ND2020L-18 PDF下载:下载PDF文件查看货源 内容描述:[Small Signal Field-Effect Transistor, 0.132A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,] 分类和应用:开关晶体管 文件页数/大小:4 页 / 125 K ...