与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎。*2) 导通电阻（Ron）MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的功率损耗越少。*3) Qgd（栅-漏电荷）MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开...
ROHM一直在为消费电子和工业设备领域提供采用中等耐压新工艺的低导通电阻MOSFET。此次通过将这种新工艺应用于对可靠性要求高的车载产品,又开发出具有低导通电阻优势的10款车载Nch MOSFET新产品。不仅有近年来需求高涨的2.0mm×2.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸的小型封装产品,还有传统的TO-252封装产品,未来将会继续扩大产品阵容并...
产品类型 MOSFET 上升时间 25 ns 工厂包装数量 500 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 70 ns 典型接通延迟时间 25 ns 零件号别名 R6007ENX 单位重量 10 mg 可售卖地 全国 型号 R6007ENX 技术参数 品牌: ROHM/罗姆 型号: R6007ENX 批号: 新年份 数量: 999999 制造商: ROHM Semiconductor 产品...
Nch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。相比Pch MOSFET,漏源间的导通电阻更小,因此可减少常规损耗。 使MOSFET启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,则运行时的损耗(电力损耗)越少。 沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型M...
简化Nch+pch的布线 有助于节省电路板面积 优异的散热性 高功率新封装 备有多种电流整容,适用于各种大小的电机 内置2个要素,电机驱动用MOSFET 产品阵容 高功率封装 背面散热型 30V~100V,适用于工业设备 鸥翼封装 适用于电机的高功率人气封装 小型封装
ROHM BM2P121XH-Z DIP7K 非隔离型PWM DC / DC转换器IC内置开关MOSFET 新年份 ￥9.35 查看详情 DTC114EETL 新货ROHM 数字晶体管 丝印24 阻尼三极管 ￥0.16 查看详情 BUS1DJC3GWZ-E2 原装新货ROHM 1ch超小型高边负载开关IC 丝印GX ￥2.20 查看详情 ROHM BH1792GLC-E2 WLGA010V28 光学式脉搏传感器IC ￥...
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产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SOT-416-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 20 V Id-连续漏极电流 200 mA Rds On-漏源导通电阻 1.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压 - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压 1 V 最小工作温度 - ...
我对LM74700EVM 中 Nch MOSFET 的绝对最大电压(VDSS)有疑问。 此EVM 用于 VDSS = 60V 的 Nch MOSFET"DM6007LFG-13"。 EVM 的输入电压规格范围为3.9V 至65V。但该 EVM 使用的是 Nch MOSFET "DMT6007LFG-13"(VDS=60V)。 我 想知道它是否可以使用 VDSS 低于输入电压...
本公司生产销售音频 音频,提供音频专业参数,音频价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.音频 音频 品牌Rohm|产地广东省|价格19.9105元|型号BM28720MUV-E2|最大时钟频率48 kHz|批号19+|接口类型I2S|类型Full Digital Speaker Amplifier|封装VQFN-32|工作电源电压10 V to