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商品型号 NCE65T540K 商品编号 C414150 商品封装 TO-252-2 包装方式 编带 商品毛重 0.368克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 数量1个N沟道 漏源电压(Vdss)650V 连续漏极电流(Id)8A 导通电阻(RDS(on))460mΩ@10V,4A ...
NCE65T540K 价格参考￥ 2.128 。 NCE NCE65T540K 封装/规格: TO-252(DPAK), N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):69W。你可以下载 NCE65T540K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版: NCE65...
型号:NCE65T540K 品牌:NCE(无锡新洁能) 封装:TO-252(DPAK) 描述: 国内价格 1+3.72600 10+2.95920 30+2.62440 100+2.21400 500+2.01960 1000+1.91160 库存:695 去购买 型号:NCE65T540K 品牌:NCE(无锡新洁能) 封装:TO-252(DPAK) 描述: 国内价格 500+2.30390 1000+2.08160 库存:588 去购买 型号:NCE65T540K...
NCE65T540K 由NCE 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 ickey 等渠道进行代购。 NCE65T540K 价格参考￥ 4.7124 。 NCE NCE65T540K 封装/规格: TO-252(DPAK), N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):69W。你可以下载 NCE65T540K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明...
型号 NCE65T540K新洁能代理商 MOS管(MOSFET场效应管) 可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴...
器件类目 产品型号 封装描述 环境温度 是否在产 应 用丝 印 N沟道NCE65T540K TO-252 -55~+150°C 是 功率因数校正、开关模式电源、不间断电源 NCE65T540K 测试电路 Test circuit 产品特性 Product characteristics 100% Avalanche Tested New technology for high voltage device ...
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NCE65T540K是NCE新洁能的一款MOS管|IGBT|模块,我司不但为您提供可靠的全新原装NCE65T540K,还可提供NCE65T540K应用资料、免费样品及产品研发技术支持!详情可致电垂询. 元件型号:NCE65T540K 元件品牌:NCE新洁能 全新原装正品保障,质量是企业的生命!采购数量: ...
原装正品NCE65T540K[N沟道 650V 8A] 已售少于100 ￥5.01点击查看更多配送: 广东广州至 阳泉城区 快递: 23.00现货,付款后48小时内发货 保障:7天无理由退货查看更多 用户评价 参数信息 图文详情 本店推荐 用户评价 参数信息 品牌 NCE 图文详情 本店推荐 原装正品US1881LUA-AAA-000-BU[MAGNETIC SWITCH LATCH ...