NCE6005AS Datasheet (PDF) ..1. Size:417K ncepower nce6005as.pdf Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6005ASNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. ...
属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)5A 属性参数值 导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V,5A 耗散功率(Pd)2W 阈值电压(Vgs(th))2.5V 数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 梯度 售价 折合1圆盘 5+￥1.0052 ...
Part #: NCE6005AS. Description: Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET. File Size: 1091.97 Kbytes. Manufacturer: VBsemi Electronics Co.,Ltd.
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NCE6005AS.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 功率MOSFET 封装/外壳 SOP-8 连续漏极电流Id 5A Rds On(Max)@Id,Vgs 26mΩ@10V 漏源极电压Vds 60V Pd-功率耗散(Max) 2W 栅极电压Vgs ±...
商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 品牌 NCE/新洁能 封装 SOP-8 批次 21+ 数量 120000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 80C 最小电源电压 2V 最大电源电压 7.5V 长度 2.1mm 宽度 5.1mm 高度 1.7mm 可售卖地 全国 型号 NCE6005AS PDF资料 电子管-MOSFET-NCE6005AS-NC...
NCE6005AS.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 功率MOSFET 封装/外壳 SOP-8 连续漏极电流Id 5A Rds On(Max)@Id,Vgs 26mΩ@10V 漏源极电压Vds 60V Pd-功率耗散(Max) 2W 栅极电压Vgs ±...
数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 梯度 售价 折合1圆盘 1+￥3.74 200+￥1.5 500+￥1.45 1000+￥1.42￥4260 优惠活动 库存总量 (单位:个) 广东仓 0 江苏仓 0 购买数量(3000个/圆盘,最小起订量 1 个) 个 起订量:1 个3000个/圆盘 总价金额:￥0.00 ...
数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 梯度 售价 折合1圆盘 1+￥9.25 10+￥7.7 30+￥6.85 100+￥5.89 500+￥5.14 1000+￥4.95￥19800 优惠活动 库存总量 (单位:个) 广东仓 0 江苏仓 1 购买数量(4000个/圆盘,最小起订量 1 个) 个 起订量:1 个4000个/圆盘 ...
NCE6005AS.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 功率MOSFET 封装/外壳 SOP-8 连续漏极电流Id 5A Rds On(Max)@Id,Vgs 26mΩ@10V 漏源极电压Vds 60V Pd-功率耗散(Max) 2W 栅极电压Vgs ±...