型号 NCE30P20Q 技术参数 品牌: NCE 型号: NCE30P20Q 封装: DFN3.3X3.3-8L 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 9V 长度: 3.2mm 宽度: 2.8mm 高度: 1.5mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格...
爱企查为您提供NCE30P20Q 32位ARM微控制器 NCE 封装BGA 批号22,中山市翔美达电子科技有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。微控制器;微控制器批发;微控制器行情报价;微控制器价格;微控制器底价;微控制器图片;微控制器厂家;微控制器生产厂家;微控制器品牌;
NCE30P20Q由NCE设计生产。NCE30P20Q封装/规格:配置/单路:栅极电荷(Qg)/45.6nC:阈值电压/1.5V@250µA:漏极电流/1uA:晶体管类型/P沟道:功率耗散/35W:额定功率/35W:充电电量/45.6nC:反向传输电容Crss/227pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/30V:极性/P-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 NCE30P20Q、 winsok、 DFN3X3-8 商品图片 商品参数 品牌: winsok 封装: DFN3X3-8 批号: 2020+ 数量: 98654 FET类型: 单P沟道 漏源电压(Vdss): -30 漏极电流(Id): -20 漏源导通电阻(RDS On): 11.5 栅源...
商品型号 NCE30P20Q 商品编号 C502778 商品封装 PDFN3333-8 包装方式 编带 商品毛重 0.075克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)20A 导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V,15A ...
NCE30P20Q数据手册 品牌NCE/新洁能 封装PDFN3.3*3.3-8 批号23+ 仓库地址深圳 QQ咨询 洽洽咨询 深圳市淘芯电子有限公司 商家资质: 会员 会员年限: 会员0 实体认证: 未认证 电话: 0755-23997544 13424435694 13760112133 地址: 福田区华强北新华强Q6E1088有价就发,只要合适马上支持。淘芯孙生 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 电子元器件、 场效应管、 MOS管、 NCE30P20Q、 VB、 半导体 商品图片 商品参数 品牌: VBsemi/微碧半导体 漏源电压(Vdss): -30V 连续漏极电流(Id): -45A 功率(Pd): 标准 导通电阻: 11mΩ@VGS=10V,VGS=20V ...
NCE30P20Q 封装 DFN3.3X3.3-8L 批号 18+ FET类型 P沟道MOSFET 漏源电压(Vdss) -30 漏极电流(Id) -20 漏源导通电阻(RDS On) 11.5 栅源电压(Vgs) 15 栅极电荷(Qg) / 反向恢复时间 / 最大耗散功率 /(mW) 配置类型 P沟道MOSFET 工作温度范围 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 NCE30P20Q、 新洁能半导体、 DFN3X3-8L 商品图片 商品参数 品牌: 新洁能半导体 封装: DFN3X3-8L 批号: 21+ 数量: 90000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 100C 最小电...
NCE30P20Q 数据手册 NCE30P20Q http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P20Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge . This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Featu...