型号 NCE2302C MOS管(MOSFET场效应管) 可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变...
品牌 新洁能NEC 封装 SOT-23 批号 23+ 数量 325685 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 125C 最小电源电压 4.5V 最大电源电压 9.5V 长度 2.1mm 宽度 3mm 高度 1mm 可售卖地 全国 型号 NCE2302C 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 NCE2302C、 NCE、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: NCE 封装: SOT-23 批号: ROHS+ 数量: 19588 数量: 19588 产地: 中国 品名: 功率MOSFET 电子元器件 货期: 原装现货 长期供应排单 产品应用: 电子设备 ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 NCE2302C-VB 商品编号 C20755547 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.07克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)6A ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 NCE2302C、 新洁能半导体、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: 新洁能半导体 封装: SOT-23 批号: 21+ 数量: 90000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: ...
型号 NCE2302C 技术参数 品牌: NCE 型号: NCE2302C 封装: SOT-23 批号: ROHS+ 数量: 19588 产地: 中国 品名: 功率MOSFET 电子元器件 货期: 原装现货 长期供应排单 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,...
型号 NCE2302D NCE2302C 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活...
品牌: NCE 封装: SOT-23 批号: ROHS+ 数量: 19588 数量: 19588 产地: 中国 品名: 功率MOSFET 电子元器件 货期: 原装现货 长期供应排单 产品应用: 电子设备 NCE2302C 电子元器件 SOT-23 资料 数据手册 规格书 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
**NCE2302C-VB** - **品牌:** VBsemi- **封装:** SOT23- **类型:** N-Channel 沟道- **最大电压(VDS):** 20V- **最大电流(ID):** 6A- **导通电阻(RDS(ON)):** - 24mΩ @ VGS=4.5V - 24mΩ @ VGS=8V- **阈值电压(Vth):** 0.45~1V **应用简介:**适用于电源管理、开关电源...
类似零件编号 - NCE2302C 制造商 部件名 数据表 功能描述 Wuxi NCE Power Semicond... NCE2302 306Kb / 7P NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET NCE2302B 283Kb / 7P NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET NCE2302 278Kb / 7P NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET More ...