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型号 NCE20P70G 技术参数 品牌: NCE/新洁能 型号: NCE20P70G 封装: DFN5*6-8L 批号: 2020+ 数量: 20500 品名: 元器件 参数名: MOS MCU DC 说明: 原装现货长期供应库存价格变动欢迎咨询 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所...
TheNCE20P70Gusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●V=-20V,I=-70ASchematicdiagram DSD RDS(ON)3mΩ@VGS=-4.5V RDS(ON)4mΩ@VGS=-2.5V RDS(ON)8mΩ@VGS=-1.8V ...
NCE20P70G 价格参考￥ 0 。 NCE NCE20P70G 封装/规格: DFN8_5X6MM, MOSFETs 1个P沟道 耐压:20V 电流:70A DFN8_5X6MM。你可以下载 NCE20P70G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版: NCE20P70G...
NCE20P70G是一款非常优秀的场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备中,特别是在开关电源、DC-DC转换器、LED驱动等电路中表现出色。接下来,我们将从产品结构、产品怎么选、产品优势和使用场景四个角度来分析如何选择NCE20P70G。首先,来看一下NCE20P70G的产品结构。它
NCE20P70G由NCE设计生产。NCE20P70G封装/规格:栅极电荷(Qg)/100nC:阈值电压/600mV:漏极电流/1uA:晶体管类型/P沟道:功率耗散/130W:额定功率/130W:充电电量/100nC:反向传输电容Crss/290pF@10V:栅极源极击穿电压/±10V:极性/P-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/8Pin:高度/1.00mm:长...
NCE P-ChannelEnhancement Mode Power MOSFET Description The NCE20P70G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ●VDS=-20V,ID=-70A ...
NCE20P70G数据手册 品牌NCE/新洁能 封装DFN5*6-8L 批号23+ 仓库地址深圳 QQ咨询 洽洽咨询 深圳市淘芯电子有限公司 商家资质: 会员 会员年限: 会员0 实体认证: 未认证 电话: 0755-23997544 13424435694 13760112133 地址: 福田区华强北新华强Q6E1088有价就发,只要合适马上支持。淘芯孙生 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 电力半导体器件 、 绝缘栅双极晶体管/IGBT 商品关键词 NCE20P70G、 新洁能、 DFN5X6-8L 商品图片 商品参数 品牌: 新洁能 封装: DFN5X6-8L 批号: 20+ 数量: 107239 数量: 107239 种类: IGBT V(BR)DSS(V): -20 ID(A): -70 RDS(ON): 2.3...
部件名NCE20P70G 下载NCE20P70G下载 文件大小367.73 Kbytes 页6 Pages 制造商NCEPOWER [Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd] 网页http://www.ncepower.com 标志 功能描述NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 类似零件编号 - NCE20P70G 制造商部件名数据表功能描述 ...