在半导体BCD工艺中,NBL层(N-type Buried Layer)的掺杂是一个关键步骤。NBL层通常是N型材料,其掺杂的外延层厚度和电阻率是定义电压能力的关键参数。低电压(<60V)应用通常采用薄层和低电阻率层,而高电压应用则采用厚层和高电阻率层。这种掺杂有助于实现晶体管的高性能和特性,是BCD工艺中不可或缺的一部分。