TPM20V7NBLS8 电子元器件 TECH PUBLIC?台舟电子 批次2024+ TPM20V7NBLS8 92845 TECHPUBLIC?台舟电子 -- ￥2.0400元100~2999 个 ￥1.0200元>=3000 个 深圳市凯芯微电子有限公司 1年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 H9CCNNNBLTBLAR-NUD 电子元器件 回收LPDDR芯片 封装BGA 批号2020+ H9CCNNNBLTBLAR...
品牌: SKHYNIX/海力士 型号: H9CCNNNBLTMLAR-NTM 封装: 标准 批号: 22+ 数量: 2000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 3.5V 最大电源电压: 9V 长度: 7.8mm 宽度: 4.8mm 高度: 1.7mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因...
介绍了几种常见的N型埋藏层(NBL)静电放电(ESD)器件,阐述了NBL对ESD的影响,提出了新结构的NBL器件(Under-source NBL)。比较Under-source NBL器件和其它常用器件的优缺点,对比了它和传统器件的ESD测试数据;结果表明,Under-source NBL器件在横向扩散MOS(LDMOS)ESD保护电路中有着非常好的效果,可以在功能相当的情况下,...
传统器件的ESD测试数据:结果表明,Under-sourceNBL器件在横向扩散MOS(LDMOS) ESD保护电路中有 着非常好的效果.可以在功能相当的情况下,大大节省器件的面积。 关键词:互补型金属氧化物品体管;埋藏层;静电放电;横向扩散 中图分类号:TN386.1 文献标识码:A
起订数 100个起批 500个起批 1000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 MAX32672GTNBL+T、 ADI、 TQFN 商品图片 商品参数 品牌: ADI 封装: TQFN 批号: 23+ 数量: 456 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大...
新型NBL改善LDMOS器件的ESD性能 维普资讯 http://www.cqvip.com
i■■U●●__‘—l■●。’-●■^●●一o■●●·■^●■-V01.26No.3 Jun.,2008新型NBL改善LDMOS器件的ESD性能刘玉青,邓文基,胡术云(华南理工大学电子与信息学院,广东广州510640)摘要:介绍了几种常见的N型埋藏层(NBL)静电放电(ESD)器件,阐述了NBL对ESD的影响,提出了新结构的NBL器件(Under-source NBL)...
2.2 LOCOS长度和埋层(NBL)的影响 研究表明,LDMOS器件的静电放电防护性能受器件结构和有关尺寸的影响很大,等比例缩小理论在LDMOS器件的静电防护能力方面不再适用。图8给出了两种不同结构的LDMOS器件,图8(a)所示LDMOS是在Si衬底上直接扩散n型漂移区形成的,而图8 (b)在漂移区正下方生长一层低电阻率的NBL埋层,形成...
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