政务民生 说明书 生活娱乐 搜试试 续费VIP 立即续费VIP 会员中心 VIP福利社 VIP免费专区 VIP专属特权 客户端 登录 百度文库 期刊文献 图书nb5+离子半径nb5+离子半径 铌(Nb)的离子半径为0.69Å。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
能量处于最低,周围离子由于离子对(Nb5+-Cr3+)局部电荷容易被极化,造成局部无序;另外,Nb5+、Cr3+核外电子排布不同,离子半径大于 Ti4+的离子半径,当共同取代 Ti4+导致晶格畸变时,晶格的对称性较低,更容易产生高的压电性能[20]。
在经过掺杂改性后SrTiO3可转变为半导体, 成为性能优异的电子功能陶瓷材料. 因此, 研究者尝试给SrTiO3材料进行掺杂改性, 最常见的方法是A位或B位的阳离子替代[12], 如使用La3+、Nb5+对SrTiO3进行掺杂.当Sr2+或Ti4+离子部分被La3+或Nb5+离子取代时, 可提高电导率. 其中, 由于Nb5+与Ti4+半径相近, 因此可...
Ta2O5掺杂Bi2O3–ZnO–Nb2O5陶瓷的晶体结构、结晶化学及介电性能
Nb2O5掺杂NiFe2O4陶瓷材料的显微结构和导电性能
稀土离子掺杂的镥基材料中上、下转换荧光调制及温敏特性研究 热度: 金属掺杂氧化锌基乙炔气体传感器的检测特性及气敏机理研究 热度: 金属离子掺杂及金属氧化物复合纳米TiO2的气敏传感器研究 热度: 第19卷 第4期 2004年7月 无 机 材 料 学 报 JournalofInorganicMaterials ...
( J 是掺入的 Nb 离子与母体材料的摩尔比)9比 LSMO 高 5 个数量级9 这是由于晶界处以及颗粒内部增加的自旋相关的散射 和隧穿效应所致0 Nb 5+ 离子的掺杂使样品的低场磁 电阻( LFMR )和高场磁电阻( HFMR )效应都有所增 强0 77 下9 0.1 和 1T 磁场下在 J=0.07 样品中分别 得到 25% 和 42% ...
更多“对Nb和Ta这两种第5族元素具有相同金属半径这一事实做解释。”相关的问题 第1题 第4周期部分元素的第二电离能(eV)如下: Ca Sc Ti V Cr Mn 11.87 12.80 13.58 14.15 16.50 15.64 试确定它们分别对应于哪个轨道上电子的电离并解释上述数值的变化趋势。 点击查看答案 第2题 讨论第2周期自Li至F电负性...
而嵌入类材料由于其结构稳定,体积膨胀小受到广泛关注。众所周知,由于Na+具有较大的离子半径(Na+半径1.02Å);Li+半径0.76 Å),在材料体相中扩散困难,倾向于在材料表面发生快速赝电容反应。因此,TiO2、RuO2和Nb2O5等具有赝电容特性的负极材料具有广阔的前景。