同样的在易失性存储器和下一级存储器,通常是闪存,之间也可以通过增加Cache的形式来提高整体的访存性能,这类Cache容量大速度相对较慢,设计时也需要考虑闪存页大小等因素对Cache相关参数的制约。2007年郝记生等通过在NAND型闪存中引入Cache机制,来实现与NOR型闪存类似的芯片内执行(XIP)功能,拓展NAND型闪存在指令存储领域...
TLC（Triple-Level Cell，三层单元）：每个存储单元可以存储3比特，具有8种单元状态。QLC（Quad-Level Cell，四层单元）：每个存储单元可以存储4比特，具有16种单元状态。通过在每个单元中存储更多的比特，MLC、TLC和QLC NAND 闪存的存储密度依次提高、成本下降、芯片外观尺寸也大大缩减，但相应地，数据写入速度变慢、P...
二、封装形式和应用场景：SD NAND通常被封装在小巧的TF卡中，适用于便携式设备如智能手机、数码相机和平板电脑等。它的优势在于标准化的尺寸和电气特性，使得在不同设备间转移数据变得非常方便。此外，由于其内置的数据保护机制，它在面对电力波动或意外删除时能够保护数据不受损失。以瀚海微的SD NAND产品为例，这些产...
根据不同的数据存储方式,NAND闪存可以分为4种类型:单层单元(SLCs)、多层单元(MLCs)、三层单元(TLCs)和四层单元(QLCs)。 第一种单层单元(SLC),顾名思义是单个数据以“1”或“0”的形式存储在单个单元格中。由于该数据占用了整个房间,因此租金(或价格)很高。也就是说,在SLC闪存中,“计算人数”过程花费的时间...
在早期，NAND闪存主要以2D平面形式存在，其扩展容量的原理主要通过在一个平面上将多个存储单元进行拼接，存储单元的数量越多，存储容量就越大，随着存储芯片厂商将2DNAND的单元尺寸从120nm微缩至14nm时，2D结构在容量扩展方面的局限性开始显现，其可靠性会随着制程微缩进一步下降。为了克服2DNAND技术的自身缺陷，2007年...
NAND闪存的工作原理基于电荷的存储和释放。数据在NAND闪存中以电荷的形式存储,存储的电荷量取决于控制栅极所施加的电压。具体来说,NAND闪存的操作主要包括三个基本过程:编程、读取和擦除。 编程(写入):编程过程是向存储单元注入电荷的过程。通过向控制栅极施加高电压,浮置栅上的电荷会被重新分配,从而改变晶体管的阈值...
EMMC是一种集成了控制器和闪存芯片的封装形式，通常被用于嵌入式系统和移动设备中。EMMC内部包含一个控制器芯片和一个或多个NAND闪存芯片，这种封装使得EMMC更容易集成到设备中，同时提供了更高的性能和可靠性。性能优越：EMMC通过集成控制器实现了更高的数据传输速度和更快的读写操作，从而提高了SD卡的整体性能。坏块...
这是一个激动人心的公告,人们很快就预测 DRAM 即将消亡,取而代之的是电阻式存储器或 RRAM 形式的忆阻器。此外,惠普表示,它将在其即将推出的登月计算机The Machine中使用 RRAM。 到2015 年,惠普已经退缩并表示将在 The Machine 中使用 DRAM 而不是忆阻器。在惠普宣布忆阻器 15 年后,RRAM 革命尚未发生,而且似乎...
与非门（NAND）与或非门（NOR）: NAND和NOR代表了与门和或门的否定形式，它们的输出分别在输入为全1和全0时为1，其他情况为0。异或非门（XNOR）: 类似于XOR，但当两个输入相同时输出为1，不同时输出为0，是XOR门与非门的结合。逻辑符号的力量逻辑门的符号直观地展示了它们的内部工作原理，是设计和...