二、速度测试 手里正好还有一张内存卡,那么就做下对比测试:先理解下下面这四种测试的含义:SEQ1M|Q8T1表示顺序读写,位深1024K,1线程8队列的测试速度 SEQ1M|Q1T1表示顺序读写,位深1024K,1线程1队列测试速度 RND4K|Q32T16表示随机读写,位深10244K,16线程32队列的测试速度 RND4K|Q1T1表示随机读写,位...
FLASH闪存可以执行的写操作次数有限,这意味着FLASH闪存厂商需要开发复杂的控制器技术,对写入FLASH闪存模块的方式进行管理,确保每个FLASH闪存单元接收相同的写请求。 目前有三种类型的FLASH闪存,耐久性各不相同。单阶存储单元(SLC)FLASH闪存在每个单元写一位数据,耐久性最好。多阶存储单元(MLC)FLASH闪存在每个单元写多位...
1、直接使用DataRetention界面按步骤进行测试(如下图示);2、用Error Rate的测试方法,在室温下用NFA100-E对Nand Flash进行1000次P/E,然后写入一个伪随机数,将Nand Flash放入120°C温箱,34分13秒后取出,用NFA100-E Read Only模式验证Error Rate,依次做此类循环,没有Error Rate发生就表示数据可以保存一年。
测试方法 根据JEDEC的标准,可以用高温环境加速条件下进行测试Nand Flash的Data Retention。 测试原理: 将事先写入Nand的数据重新读取出来(很重要!不用原先写入的数据做对比是因为写入数据过程中可能会出现错误,如果直接用写入的数据进行对比,可能会得出错误的结论),然后另存为独立的文件,随着时间推移或者温度变化,将Nand...
测试方法包括但不限于对Nand Flash进行擦除、编程和对比操作,以获取RBER和UBER数据。针对编程干扰的测试,通过常规的擦除、编程和读取操作即可得出结论。对于数据保持错误的测试,可以参考JEDEC标准或通过特定测试方法在室温下进行操作,然后在高温环境下验证错误率。温度对误码率的影响显著,低温条件下的误...
一种NAND Flash时序测试方法 (57)摘要 本发明公开了一种NAND Flash时序测试方法,步骤包括:获取NAND Flash中所有存储数据;对此NAND Flash进行读操作,并移动采样脉冲位置,对读取数据进行采集,获得若干采集数据;将存储数据与采集数据进行比较,并将Page中每个字节的比较结果存储到错误捕捉存储器中;将错误捕捉存储器划分为多...
将写入伪随机数的Nand放入120°C高温箱34分钟13秒,检查是否有错误发生。没有错误表示数据可以保存一年,循环测试直到出现错误,无错误循环次数表明数据可以保存几年。对于经过P/E周期的Nand Flash,需要加入P/E周期测试,每轮P/E周期后重复上述步骤,评估不同P/E周期和ECC条件下的数据保存能力。
1ENG1、安装3Nenamark2,RUN按钮,确定此按钮的中心指针位置;打开“start”脚本,修改:DispatchPointer(0,0,1.100,0.0,0,0.0,0.0,0,DispatchPointer(0,0,以上红色字体为刚 1.100,0.0,0,0.0,0.0,0,5、点击电脑的开始,选择运行,输入“cmd”,进入cmd.exe界面,输入“adbshell” 7、点击电脑的开始,选择运行,输入“...
测试台需断电保持芯片擦写的次数,并在串口遥测中显示。试验过程必须包含FLASH芯片的擦除和写操作,考核芯片长时间的加电工作后性能是否下降(监视不同模式下的电流是否增加、擦除时间是否会超时和编程时间是否延长),坏区是否增加。试验结果:FLASH芯片寿命试验总擦除次数为100000次,试验开展共409天,试验结束后总坏块...
文章目录 一、简介 雷龙的NAND flash芯片具有LGA-8封装,支持通用SD卡驱动,体积小巧,数据存储与SD卡一致。型号为CSNP1GCR01-AOW,自带坏块管理,无需编写驱动程序。尺寸为6x8mm,内置SLC晶圆擦写寿命10万次,通过1万次随机掉电测试,耐高低温,支持工业级温度范围-40°~+85°,适用于多种场景。二、...