综上所述,NAND Flash擦除的最小单位是块(Block)。这一特性决定了在进行写操作之前必须先将目标页所在的整个块擦除。
因为写不能使bit从0变为1,只能从1变为0,erase就是将bit转为1 nand flash顺序、随机读写性能特点 NAND型闪存的特点是读性能和顺序写性能较高,但随机写性能相对较低。闪存随机写性能差的原因,主要由闪存的物理特性导致,即NAND型闪存无法执行就地更新操作,必须先擦除,再写。对于大多数应用而言,随机写的IO频繁度...
这是因为就像开头说的,闪存擦除的最小单位是block,所以当block中有用户数据的时候是需要迁移的。 弊端:动态磨损均衡有一个明显的弊端是,当一个数据是冷数据,放在那里N久都没被修改的情况下,他所占用的block擦写次数很少,但是又不能拿来做磨损均衡。 2. Static Wear Leveling 静态磨损均衡 Static Wear Leveling ...
块（Block）是NAND Flash中可的擦除的最小单位，由若干个可以读写数据的页（Page）组成，这也意味着有些块中会出现只有部分页写满了数据，但是系统为了保存这些页内的数据未对整个块就行擦除，就出现了未写满的块（Open Block）, 在固件使用过程中不可避免。相比写满数据的块（Close Block），未写满块的数据...
所谓坏块,本身就是NAND Flash中的叫法,因为NAND Flash的最小擦除单位是block,当某个block因某个或某几个单元在进行擦除时报告了错误,那这一整个block将会被标记为坏块。而NOR Flash的最小擦除单位不一定是block,也可以是sector,同时NOR Flash的错误管理机制和NAND Flash不一样,没有标记一整个block为坏块之说,所...
对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash ...
NAND-flash基础 NAND颗粒结构 Block结构 单CELL物理结构 在MOSFET结构基础上加入一层浮栅,进入浮栅的电子一般可长时间存储。读取浮栅中存储电荷大小来识别不同数据,对于SLC来说,就是两种状态0/1。 擦/写操作(Erase/Program) 擦操作,即将浮栅中的电子赶走;写操作,即给浮栅注入电子。出厂默认浮栅不带电荷,为1状态。
块 block 基本上所有的nand flash datasheet上都会有块大小