SiH4和N2O反应的化学方程式可以表示为:SiH4 + N2O → SiO2 + 2H2O + N2 这个化学方程式描述了硅氢化物(SiH4)和氧化亚氮(N2O)之间的反应。在这个反应中,硅氢化物和氧化亚氮发生化学变化,生成二氧化硅(SiO2)、水(H2O)和氮气(N2)。这个反应可以进一步解释为:1. 反应物介绍:- 硅氢化物(SiH4):硅...
. 20 14 模拟分析 Sil l 4和 N2 O产生等离子体加强化学沉积 制备 SiO2薄膜 陈心园, 黄建,邓伟,王维, 周筑文 ( 贵州师范学院物理与电子科学学院 , 贵州 贵阳550018) 摘要: 通过等离子体粒子模拟实验(PIC) , 成功模拟了硅烷( SiH4) 和笑气( N2O) 的等离子体加强化学沉 积( PECVD) 制备 SiO 薄膜的过程...
通过分析这些物理参量 ,从理论上初探和解释形 成 SiO:薄膜的机制 。 2 SiH4 和 N20 制备 SiO2 薄膜 的 实验 2 .1 Sil 4 和 N2O 制备 SiO2 的化学反应 过程 采用硅烷( Sil ) 和笑气 (N O) 的等离子体加 强化学沉 积 (PECVD) 制备 SiO 薄膜 的过程 中, 最初的反应物是( Sil ,) O,该反应物...
通过等离子体粒子模拟实验 (PIC),成功模拟了硅烷(SiH4)和笑气(N2O)的等离子体加强化学沉积(PECVD)制备SiO2薄膜的过程.模拟实验过程分析了电离后各种离 子的动能,以及鞘层的空间和能量分布.分析这些物理参量,对比SiH4和N2O的等离子体加强化学沉积实验中的化学反应式,模拟实验结果从动能,能量空间 分布的角度都...
[题目]常见的电子气体有BCl3.N2O.SiH4及SiHCl3等.回答下列问题:(1)气体B2H6与氯气混合可生成气态BCl3.每生成1.0 g BCl3放出5.9 kJ的热量.该反应的热化学方程式为 . +H2 Kp1=6.0×105 Si Kp2=7.8×106 则反应 SiSiH4 Kp= (Kp为以分压表示的平衡常数.下同).(3)多晶硅制中
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故答案为:N2O或CS2、CNO-或SCN-或NO2+;2NA; (3)①因结构相似时,相对分子质量越大,分子间作用力越大,因此CH4的沸点低于SiH4;但氨气分子间还存在氢键,则NH3的沸点高于PH3, 故答案为:结构相似时,相对分子质量越大,分子间作用力越大,因此CH4的沸点低于SiH4;但氨气分子间还存在氢键,则NH3的沸点高于PH3; ...
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