“一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>陶瓷覆铜基板及其制备方法”专利由李德善、 贺贤汉、 瞿甜蕾、 周轶靓、 施鹰共同发明。本发明涉及一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>陶瓷覆铜基板及其制备方法。钛学术提供该文献下载服务。
一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>陶瓷覆铜基板及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>陶瓷覆铜基板及其制备方法说明:本发明涉及一种Si3N4陶瓷覆铜基板及其制备方法。该Si3N4陶瓷覆铜基板包括Si3N4陶瓷基...专利查询请上爱企查
摘要: 本发明的AlxGayIn1-x-yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w),和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×102cm-2并且至多1×106cm-2的总位错密度。由此能够提供... 查看全部>> ...