异质结是由两种不同类型的半导体材料的结合而形成的,其中一边是p型半导体,另一边是n型半导体。在这个结合界面上,由于扩散和固化过程,p型半导体的空穴和n型半导体的电子会发生重组,形成一个电子能级差。这个电子能级差被称为“势垒”。势垒会产生一种阻碍电子流动的作用,形成了一个单向导电特性。因此,异质结在半导体...
异质结是由p型半导体和n型半导体的接触面组成的结构。由于两者的导电性质不同,当它们接触时,会发生一些有趣的现象。 1. 能带结构 在p型半导体中,价带和导带之间的能隙较小,而在n型半导体中,能隙较大。当p型半导体和n型半导体接触时,两者的能带结构会发生变化。在接触面附近,能带会发生弯曲,形成一个能带弯曲区...
新安晚报 安徽网 大皖新闻讯 据中国科学技术大学官方网站消息 近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓（GaN）半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转（即双向光电流现象）。相关成果以“Bidirectional photocurrent in p–n heterojunction nanowires”为题于9月23日发表在《自然•电...
N型区和P型区是同种半导体材料(例如锗、硅、砷化镓)称之为“同质结”,“异质结”是指由两种带隙宽度不同的半导体材料长在同一块单晶上形成的结。按照两种材料的导电类型不同,异质结可分为同型异质结(P-p结或N-n结)和异型异质(P-n或p-N)结,多层异质结称为异质结构。由于两种材料电子亲和能和带隙宽度...
记者从中国科学技术大学获悉,该校微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓(GaN)半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转,即双向光电流现象。相关成果9月23日发表在《自然•电子学》上。 (中国科大供图) 半导体p-n结是众多电子元器件的基本构成单元,基于此所构建的传统固态光电探测器可将光信号捕获并...
双n型半导体异质结是由两种不同的n型半导体材料在界面处形成的结构,其中一个n型半导体材料的载流子浓度高于另一个,这种异质结的形成导致了界面处电子的扩散和漂移,从而产生了一系列有趣的电学现象。这种异质结的特殊电学特性使其在太赫兹光子学、光电探测器、激光器等领域具有广泛的应用前景。 双n型半导体异质结的电...
近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓(GaN)半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转(即双向光电流现象)。相关成果以“Bidirectional photocurrent in p–n heterojunction nanowires”为题于9月23日发表在《自...
n型p型半导体的能带结构 XsWnWp EgEs Eo EcEfnEi,EfiEfpEv 半导体p-n结,异质结和异质结构 p-n结形成的内部机理 •施主和受主,电子和空穴(载流子,移动电荷),空间电荷(固定离子)•多数载流子和少数载流子,(载流子的扩散运动,空间电荷区的形成,内建电场的建立),•内建电场阻止多数载流子的进一步扩散,增强了...
近日,东南大学材料科学与工程学院郭新立教授研究团队在石墨相氮化碳半导体异质结的制备及其光电化学应用方面的研究取得重要进展,相关成果于近日以“Plasma- assisted liquid-based growth of g-C3N4/Mn2O3 p-n heterojunction with tunable valence band for photoelectrochemical application(具有可调价带的g-C3N4/Mn2O3 p...
近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓(GaN)半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转(即双向光电流现象)。相关成果以“Bidirectional photocurrent in p–n heterojunction nanowires”为题于9月23日发表在《自然•电子学》上(Nature Electronics 2021, 4, 645–652)。这是中国科大...