在P型半导体材料上扩散磷元素,形成n+/p型结构的太阳电池即为P型电池片;在N型半导体材料上注入硼元素,形成p+/n 型结构的太阳电池即为N型电池片。 P型电池制作工艺相对简单,成本较低,主要是BSF电池和PERC电池。2015年之前,BSF电池占据90%市场;2016年之后,PERC电池接棒起跑,到2020年,PERC电池在全球市场中的占比...
【专利摘要】本实用新型公开了一种N型IBC太阳能电池结构,包括硅片基体,硅片基体的正表面上设置有正面钝化减缓层,硅片基体的背表面上间隔设置有梳状的N+掺杂区和P+掺杂区;N+掺杂区和P+掺杂区的表面设置有背面钝化增反层;背面钝化增反层上设置有正电极和负电极,且正电极及负电极均贯穿背面钝化增反层,并分别与P+...
摘要 本实用新型公开了一种N型IBC太阳能电池结构,包括硅片基体,硅片基体的正表面上设置有正面钝化减缓层,硅片基体的背表面上间隔设置有梳状的N+掺杂区和P+掺杂区;N+掺杂区和P+掺杂区的表面设置有背面钝化增反层;背面钝化增反层上设置有正电极和负电极,且正电极及负电极均贯穿背面钝化增反层,并分别与P+掺杂区...
摘要 本发明公开了一种IBC电池结构及其制作工艺方法,主要解决现有技术制作IBC电池工艺复杂,制造成本高昂的问题。该N型IBC电池,包括减反层、硅片基体、掺杂层、钝化层及金属电极,其特征在于减反层设在硅片基体的正面,硅掺杂层包括n+重掺杂层和p+重掺杂层,该n+重掺杂层和p+重掺杂层平行设在硅片基体的背面,钝化层...
摘要 本发明公开了一种IBC电池结构及其制作工艺方法,主要解决现有技术制作IBC电池工艺复杂,制造成本高昂的问题。该N型IBC电池,包括减反层、硅片基体、掺杂层、钝化层及金属电极,其特征在于减反层设在硅片基体的正面,硅掺杂层包括n+重掺杂层和p+重掺杂层,该n+重掺杂层和p+重掺杂层平行设在硅片基体的背面,钝化层...
3.根据权利要求1所述的一种n型ibc背接触电池光伏瓦结构,其特征在于,每列或每行所述背触电池片(1)的一表面还焊接有若干光伏焊带(2),用于所述背触电池片(1)之间电连接,所述光伏焊带(2)相互平行,且两端部汇集在电池片组两侧。 4.根据权利要求3所述的一种n型ibc背接触电池光伏瓦结构,其特征在于,所述电池片...
摘要 本实用新型公开了一种新型IBC结构N型硅异质结电池,其中N型硅衬底前表面覆有三氧化二铝薄膜,三氧化二铝层薄膜上覆有氮化硅薄膜;所述N型硅衬底的背表面沉积本征非晶硅和P型非晶硅,本征非晶硅和P型非晶硅上设有凹槽,凹槽底部为N型重掺杂区,凹槽内设有电极负极;P型非晶硅背表面设有电池的正极。本实用新型...
$爱旭股份(SH600732)$所有n型ibc结构电池都要面临的一大难关,就是突破sun power的专利壁垒和封锁 全部讨论 大宇砸 自从听了上次业绩交流会李总说的p型n型,就对那些吹n型的免疫了 大宇砸 2022-06-18 15:02 没人管呦,已经开始吹了,量产效率无敌,吊打绿鸡 n型才是未来...
一种基于光刻掩膜法制备N型FSF结构的IBC太阳能电池的方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种基于光刻掩膜法制备N型FSF结构的IBC太阳能电池的方法说明:本专利提供了一种基于光刻掩膜法制备N型FSF结构的IBC太阳能电池的方法,硅片依次经过去损伤层...专利查询请上爱企查
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