产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 700 V Id-连续漏极电流: 8.6 A Rds On-漏源导通电阻: 850 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.75 V Qg-栅极...
种类 绝缘栅(MOSFET) 可售卖地 全国 用途 MOS-HBM/半桥组件 型号 RFD14N05LSM9A 产品详情 深圳市锐豪达电子有限公司,成立于2001年8月1日,南京微盟电子有限公司授权代理商,是一家专业经销和配套的综合性公司,主要经营国内、外知名品牌稳压、升压、检测、复位、锂电池充电等电源管理IC和MOS管、二三极。经营产品主要...
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET 宽度 4.6 mm 正向跨导 - 最小值 10 S 下降时间 12 ns 上升时间 16 ns 典型关闭延迟时间 40 ns 典型接通延迟时间 24 ns 单位重量 2.240 g 可售卖地 全国 型号 STP20NM50 PDF资料 电子管-场效应管-STP20NM50-ST/意法半导体-TO-220-3-21+.pdf ...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 Through Hole 封装/ 箱体 TO-220-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 500 V Id-连续漏极电流 21 A Rds On-漏源导通电阻 158 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 25 V Qg-栅极电荷 50 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温...
产品类型 MOSFET 工厂包装数量 1000 子类别 MOSFETs 单位重量 330 mg 可售卖地 全国 类型 Power MOSFET 型号 STF7NM60N 产品详情 技术参数 品牌: ST 型号: STF7NM60N 批号: 新年份 封装: TO-220F 数量: 1004 QQ: 1013906652 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: Th...
TI/德州仪器 电源管理芯片 LM2743MTC/NOPB 开关控制器 Lo Vtg N-Ch MOSFET Sync Buck Reg Cntlr 更新时间:2024年07月26日 家装建材,一站式购齐,点击查看更多优质好物! 价格 ¥0.65 ¥0.62 ¥0.58 起订量 10件起批 100件起批 1000件起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东省 深圳市 ...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 Through Hole 封装/ 箱体 TO-247-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 600 V Id-连续漏极电流 39 A Rds On-漏源导通电阻 70 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 25 V 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-功率...
技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 500V Vgs(最大值) ±25V 功率耗散(最大值) 160W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-247-3 封装/外壳 TO-247-3 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 型号 STW25NM50N PDF资料 电子管-场效应管-STW25NM...
产品族 晶体管-FET,MOSFET-单个 系列 PowerMESH™ FET类型 N通道 漏源电压(Vdss) 500V Vgs(最大值) ±30V 功率耗散(最大值) 190W(Tc) 工作温度 150°C(TJ) 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 品牌 意法 交易保障 买家保障 卖家承诺履约合规诈骗保赔,保障商品交易安全 价格说明 价格:商...
产品族 晶体管-FET,MOSFET-单个 系列 HEXFET® FET类型 N通道 漏源电压(Vdss) 500V Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 150W(Tc) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-204AA,TO-3 品牌 IR 交易保障 买家保障 卖家承诺履约合规诈骗保赔,保障商品交易安全 价格...