n-al共掺杂4h-sic的第一性原理计算 第20卷第3期2014年6月doi:10.13732~.issn.1008-5548.2014.03.017N—Al共掺杂4H—SiC的第一性原理计算史茹倩,郑树凯一,周鹏力,何静芳,闰小兵a,刘磊(河北大学a.电子信息工程学院;b.计算材料研究与器件模拟中心,河北保定071002)摘要:采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软...
专利名称 两步法生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法 申请号 2004100670048 申请日期 2004-09-30 公布/公告号 CN1293606C 公布/公告日期 2007-01-03 发明人 叶志镇,吕建国,诸葛飞,赵炳辉 专利申请人 浙江大学 专利代理人 韩介梅 专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 专利类型 发明专利 主分类号 H01L21/203...
蒋德琼(1.四川大学原子与分子物理研究所,四川成都610065;2.四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所,四川成都610068)摘要:采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了闪锌矿ZnS、N掺杂以及Al、N共掺杂ZnS晶体的电子结构,分析了N掺杂以及Al和N共掺杂ZnS晶体的能带结构、电子态密度以及Mulliken...
衬底温度对N-Al共掺杂ZnO薄膜形貌及光致发光性能的影响
利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂的方法生长p-ZnO薄膜.ZnO薄膜沉积于具有不同衬底温度的玻璃或Si衬底上,N来自NH3与O2的生长气氛,Al来源于AlxZn1-x(x=0.08%)靶材.利用XRD,XPS,Hall测试对其性能进行了分析.结果表明,用Al,N共掺杂的方法可以得到c轴择优取向的p型ZnO薄膜,载流子浓度为(1014~1015) cm-3,电阻...
摘要 本发明公开了一种脉冲激光沉积法制备Al-N共掺杂P型ZnO薄膜,方法如下:1)靶材的选择:采用Al-Zn靶,其中Al含量为2.5wt.%~3.5wt.%;2)石英玻璃衬底的清洗;3)抽真空:将清洗后的石英玻璃片放入沉积室,将沉积室抽真空至3.0×10-4Pa~7.0×10-4Pa;4)向沉积室里充N2O气体(纯度为99.99%):使N2O气体压强在3...
Al-N共掺杂ZnO电子结构和光学性质
探讨了掺杂对薄膜晶体结构、表面形貌及电学性能影响。 【关键词】AL-N共掺杂;ZnO薄膜;磁控溅射 0引言 ZnO作为一种宽带隙(禁带宽度为3.37eV)的光电半导体材料[3],ZnO是II-VI族化合物,具有禁带宽、激子束缚能高,不仅能制成良好的半导体和压电薄膜,亦能通过掺杂制成良好的透明导电薄膜,此外,ZnO薄膜的外延生长温度...
Al-N共掺杂型ZnO薄膜的制备及其性能研究
Al_N共掺杂制备ZnO薄膜及其性能研究