选择性多晶硅钝化接触（Poly-SEs）：图中详细描绘了Poly-SEs的结构，包括n++多晶硅层（重掺杂区域）和n+多晶硅层（轻掺杂区域）。这种结构有助于减少寄生吸收和接触电阻，同时提供更好的电流收集。多晶硅钝化接触工艺参数的影响 钝化性能：ECV剖面的形状提供了关于SiOx层钝化质量的信息。一个理想的钝化接触应该具有浅的...
但p+ poly和n+ poly的金属接触复合，即使“穿刺”会破坏钝化接触结构的情况下也可以使金属复合远远低于常规发射极/背场。金属接触电阻率优势：除金属接触复合外，金属-半导体接触电阻率(ρc)对晶体硅太阳电池的器件性能也至关重要，金属-半导体形成良好的欧姆接触有助于降低电阻损失，提升填充因子。
本公司主营产品如下金属靶材:高低纯铬2N5 3N 3N5 Cr, 高纯钛 4N 4N5 Ti,高纯镍Ni, 地高纯锆Zr, 钪Sc,高纯钨W, 高纯钼Mo;高纯铪 3N5 Hf, 高纯钽Ta;铌Nb;高纯铝 4N 4N5 5N 6N Al;单晶硅,掺杂硼(Mono Si ) ,多晶硅(Poly Si ),本征硅,不掺杂(Si undoped),锗靶材(Ge);金属方块或者立方体10x10x...
1)正面电极 2)氮化硅层 3)氧化铝钝化层 4)掺硼发射级5)N型晶体硅6)扩散掺杂层7)超薄隧穿层氧化硅 8)磷掺杂多晶硅Poly-Si9)氮化硅层 10)背面电极 以下是工艺路线图,可直接略过看总结重点 1、P型与N型硅片的差别 纯净的硅是不导电的,因此无论是用半导体做光伏电池,还是集成电路,需要导电地方都不能用纯...
多晶硅钝化接触技术(通常称TOPCon,也称为POLO、PERPoly、monoPolyTM、iTOPConTM、PERTOPTM)被广泛认为是最有希望的继PERC电池之后的下一代高效晶硅电池技术之一,是晶硅太阳电池技术领域的研究重点。截至2020年3月,全世界就该技术共发表近190余篇期刊和会议论文,德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)、德国...
答:poly,oxide, metal 半导体中一般金属导线材质为何? 答:鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu) 何谓dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)? 答:Oxide etch and nitride etch 半导体中一般介电质材质为何? 答:氧化硅/氮化硅 何谓湿式蚀刻 答:利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除 ...
TOPCon全称是Tunnel Oxide Passivated Contact Solar Cell,即金属区域钝化接触,以PERC结构为基础,在N型硅片背面沉积超薄SiO2和磷掺杂多晶硅构成钝化接触结构。TOPCon与PERC工艺兼容性好,在传统PERC工艺上叠加4-6个步骤即可实现,但其只有背面N型区采用单极钝化,不完全的钝化制约了电池极限效率,而正面P-Poly层中光寄生吸收...
有了绕度,我们就得将它去掉,因为n型poly和正面的p+发射极的掺杂是不一样的。如果连在一起,会导致漏电,所以我们要将它去除掉。常规的去除方法,利用的是碱溶液,把它放到槽的碱溶液中。但因为绕度镀的也是poly硅,镀的膜也是poly层,不可避免对于需要保留的poly膜造成损伤,所以poly膜用LPCVD会镀得稍微厚一点,以...
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1“VLS工设计基础”复习题与思考题选用教材:“VLSI设计基础”李伟华编著电子工业出版社2002年10月第一版参考教材“半导体集成电路”,张开华编著,东南大学出版社,1995年7月第一版。第1章“VLS工设计基础概述”复习题与思考题(p.1~3)第2章“MOS器件与工艺基础”复习思考题(p.4~9)第3章“工艺与设计接口”复习...