n-dmbi掺杂机制-回复 NDMBI掺杂机制(Non-Destructive Minority Barrier Interface doping mechanism)是一种在半导体材料中引入杂质以调节材料电性的方法。该机制主要针对磷化铟(InP)等III-V族化合物半导体材料,可以提高半导体器件的性能。接下来,本文将从什么是NDMBI机制、NDMBI的优势、NDMBI的原理、NDMBI的应用等方面...
n-dmbi掺杂机制-回复 什么是ndmbi掺杂机制? NDMBI掺杂机制是一种用于提高半导体材料电子迁移率的技术。NDMBI是Naphthalene Diimide(萘二酰亚胺)的简称,掺入半导体材料中可以有效地减少电子与空穴的散射,从而提高电子的迁移率。掺杂机制是指将NDMBI分子以掺入的形式加入到半导体材料中,使其能够更好地导电。 为什么需要...
随着掺杂剂N-DMBI的加入，TDPP-ThIC薄膜中原始的衍射峰逐渐变宽变模糊，暗示了薄膜态的结晶性逐渐下降；同时在AFM形貌图中可以看到掺杂剂的加入使原始薄膜中的纤维网状传输网络被破坏，并且随着掺杂浓度的提高，薄膜表现甚至出现了谷粒装的聚集(图3)，进一步地降低了分子间的电荷传输性能。结合前面单晶衍射数据，作者发...
随着掺杂剂N-DMBI的加入,TDPP-ThIC薄膜中原始的衍射峰逐渐变宽变模糊,暗示了薄膜态的结晶性逐渐下降;同时在AFM形貌图中可以看到掺杂剂的加入使原始薄膜中的纤维网状传输网络被破坏,并且随着掺杂浓度的提高,薄膜表现甚至出现了谷粒装的聚集(图3),进一步地降低了分子间的电荷传输性能。结合前面单晶衍射数据,作者发现随着...
使用N-DMBI分子对给体稀释活性层进行微量n-型掺杂,通过提高受体分子极性以及给体和受体结晶度来促进给体富集相的形成,从而在低给体浓度的条件下构筑连续的空穴传输通道。在n-型掺杂的帮助下,即使标准BHJ活性层中的给体浓度减少了1/3,其半透明电池的PCE却能达到最高值的93%以上且AVT从原本的17.18%提高至22.1%。
ndmbi是一种常用的掺杂剂,由于其特殊的物理和化学性质,广泛应用于材料掺杂领域。 ndmbi掺杂机制的工作原理可以分为两个方面: 1.掺杂剂物理特性的改变:ndmbi掺杂剂在材料中的引入,会改变材料的晶格结构和电子能带结构,从而影响材料的导电性、光学性质等。例如,ndmbi具有较高的自旋极化率,使得其在材料中的掺杂能够...
通过表征聚合物前线分子轨道进一步揭示,硒原子的引入导致所得材料的LUMO能级进一步降低(低至-4.0 eV),从而通过光学和电子顺磁共振谱学研究显示,使得聚合物f-BSeI2TEG-T和f-BSeI2TEG-FT更高效地被掺杂剂N-DMBI掺杂(图3)。此外,采用极性...
在有机热电(OTE)器件表征中,DPP-BFDO在未掺杂的情况下即可表现出1.04 S cm-1的高电导率和12.59 μW m-1K-2的功率因子(PF)。N-DMBI掺杂后,电导率最高可提升至65.68 S cm-1。 作者还通过X射线光电子能谱(XPS)对DPP-BFDO的自...
,推测N-DMBI掺杂后主要进入了分子的链间堆积和柱间堆积区域(图3),这一观点与其他聚合物类型的材料掺杂后观察到的现象相一致。总的来说,TDPP-ThIC原始薄膜良好的电荷传输通道被破坏,从而造成了其掺杂后低电导率的结果。这些结果表明在考虑提高n型小分子类热电材料的电导率时,不仅需要提高掺杂效率和载流子迁移率,还...
随着掺杂剂N-DMBI的加入,TDPP-ThIC薄膜中原始的衍射峰逐渐变宽变模糊,暗示了薄膜态的结晶性逐渐下降;同时在AFM形貌图中可以看到掺杂剂的加入使原始薄膜中的纤维网状传输网络被破坏,并且随着掺杂浓度的提高,薄膜表现甚至出现了谷粒装的聚集(图3),进一步地降低了分子间的电荷传输性能。结合前面单晶衍射数据,作者发现随着...