NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET --NCE2060K NCE2060K NCE0115K NCE2302 NCE3010S NCE30P12S NCE3050K NCE3080IA NCE3095K NCE3400 NCE3416 NCE4060K NCE4080K NCE6003 NCE6005AR NCE6075K NCE6080K NCE65T180F NCE65T360 NCE70T540F等NCE新洁能一级代理全新原装现货,可售样,可提供技术支持...
N沟道增强型MOSFET（N-Channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常见的场效应晶体管，用于电子器件中的放大、开关和模拟电路。它是一种N沟道型的MOSFET，其中的N指的是导电通道是由N型沟道形成的。以下是N沟道增强型MOSFET的一些基本特点和工作原理：1. **基本结构：** N...
产品概述:N-Channel Enhancement ModeMOSFET 此器件为40V、13mΩ、SOP8L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板等应用领域。 产品特点: 低内阻 符合RoHS标准 稳定的工艺能力 以下是其它 单N管 MOSFET 40V不同参数,满足不同客户需求 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加...
2N7002T N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 说明书 2N7002T Document number: DS30301 Rev. 15 - 2 1 of 5 www.diodes.com August 2018 © Diodes Incorporated Product Summary Description and Applications This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (R DS(ON...
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N 沟道增强型 MOS 管 HM3416E VDS= 20 ID=4.2 A RDS(ON), Vgs @ 1.8V, Ids @ 3A = 36mΩ RDS(ON), Vgs @ 2.5V, Ids @ 3.8 A = 28mΩ RDS(ON), Vgs @ 4.5V, Ids @ 4.2 A = 24mΩ ESD Protected:2000V Features 特性 Advanced trench...
新洁能NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET --NCE2302 NCE2302 NCE3010S NCE2060K NCE0115K NCE30P12S NCE3050K NCE3080IA NCE3095K NCE3400 NCE3416 NCE4060K NCE4080K NCE6003 NCE6005AR NCE6075K NCE6080K NCE65T180F NCE65T360 NCE70T540F等新洁能一级代理,可提供技术支持,量大价优 LED驱...
N-ChannelEnhancementModeMOSFET PINDESCRIPTION PinSymbolDescription 1GGate 2SSource 3DDrain ORDERINGINFORMATION PartNumberPackagePartMarking SPN9971T252RGBTO-252SPN9971 SPN9971T251TGBTO-251SPN9971 ※SPN9971T252RGB:TapeReel;Pb–Free;Halogen-Free ※SPN9971T251RGB:Tube;Pb–Free;Halogen-Free ...
天代半导体有限公司 Techcode N-通道增强模式 MOSFET TDM3548 数据手册说明书 2017 1 PPAK-3*3-8 A Parameter Symbol Limit Unit Drain﹐urce Voltage V DS 30 V Gate﹐urce Voltage V GS +20 V Drain Current @ Continuous I D（T C=25℃） 57 A I D（T C=100℃） 36 A Drain Current @ ...
首先说MOSFET管的作用，可以作为高阻输入端的放大级，也可以作为大电流驱动的功率级，根据不同应用，使用的管子类型参数也不一样。N-Channel意为N沟道，与NPN三极管的极性接法类似；相反的，P沟道的管子就像PNP三极管了。Enhancement Mode意为增强型，栅极悬空时默认的，管子为不导通，需要在栅极加上与N或...
Encompassing N- and P-channels, the MOSFET Master Table portfolio ranges from 8V to 800V packaged in single, dual and complementary configurations.