高分辨率C1s光谱中C-N键的形成表明N已经成功地掺杂在C骨架中。与PAA-Fe-N相比,P(AA-MA)(5-1)-Fe-N样品C-N键的位置发生了正向的位移,表明P(AA-MA)(5-1)-Fe-N样品具有更强的Fe-N相互作用。高分辨率N1s光谱表明,P(AA-MA)(5-1)-Fe-N样品具有比PAA-Fe-N更高的表面N含量(8.99 at%)和吡啶N/...
对于N1s峰,在≈397.59、399.25和401.15 eV处的代表性峰分别被拟合为吡啶N、吡咯烷N和石墨N(图2f),氮掺杂的中空多孔碳纳米纤维在其表面形成大量的缺陷和空位,有利于复合材料的电子导电性,从而增强电子传递和促进锂离子的吸附,提高电极的容量。 图2. a) N-HPCNFs和SnS2@N-HPCNFs的XPS光谱。SnS2@N-HPCNFs的b...
两种Pt-N-CNT催化剂、Pt箔和PtO2(c)Pt 4f XPS、(d)k2加权的Pt L3-edge XANES、(e)FT-EXAFS和(f)WT-EXAFS等高线图。 图2. Pt-N-CNT_Gly和Pt-N-CNT_NH3的(a)N 1s高分辨率去卷积XPS,(b)N K-edge NEXAFS,(c)1s→π*跃迁的去卷积N K-edge光谱以及(d)N分布比较。 图3.(a)圆盘电极(底部)在...
1.作者提出了一种新的质子化机制,揭示了吡咯型FeN4中吡咯氮的质子化,以及吡啶型FeN4中Fe位点的质子化,这两种质子化对Fe剥离能垒有重要影响。 2.通过各种光谱表征验证了Nafion处理的酞菁铁分子中吡咯氮的易质子化,证明了Fe-N-C结构中不同类型的FeN4的动态稳定性差异。 3.本研究发现了Fe位点上含氧中间体与N...
采用EDS对产物进行元素分析发现,在沉淀物中存在一定含量的铁元素;通过对划痕涂层处的N元素做分峰拟合处理,得到了N元素和铁的络合峰;利用理论计算得到吡啶基团和亚铁离子的结合能为-369.99kcal/mol,两者具有较强的相互作用。由此可得,在亚铁离子存在的...
我在石墨烯上接了聚2-乙烯基吡啶的链段,下面是产物N元素的XPS的分峰位置,398.73, 32.76% 397...
H2的存在显著增加了FeN4位点的总密度,抑制了不稳定的吡咯-N配位S1位点,并有利于缩短Fe–N键长,并稳定吡啶-N配位S2位点。稳定的S2位点排列在石墨化良好的碳层中,而S1位点存在于石墨化程度较低的碳中。 H2可以在热解过程中去除不稳定的S1位点并保留稳定的S2位点...
壳层的电子状态以及与之相结合配体的电子状态,同时可提供电荷转移的信息.因此,XPS为研究配位键是否形成提供了一种非常有用的手段,特别是对于难于培养成单晶的配合物中配位键的研究提供了方法.本文报道了铈(Ⅳ)盐与吡啶类-N-氧化物的八种新配合物的XPS研究,同时讨论了甲基在吡啶氮氧化物中的取代位置不同对化学...
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