N型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-type Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,N-MOSFET)是一种常见的晶体管类型,用于电子设备中的开关和放大电路。 N-MOSFET由n型半导体基片形成的源和漏,中间隔着一层绝缘氧化物(通常是氧化硅),作为栅极下面的绝缘层。在绝缘层上方,有一层金属栅极,用于控制电流的流...
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本发明采用如下技术方案:一种高击穿电压的N型纵向碳化硅金属氧化物半导体管,包括:N型衬底,在N型衬底的一面上连接有漏极金属,在N型衬底的另一面上设有N型漂移区,其特征在于,在N型漂移区上设有P型基区层,在P型基区层设有按照阵列分布的N型源区和P型体接触区,在每对相邻的N型源区之间设有由N型漂移区...
n型半导体过渡金属氧化物催化剂吸附氧气的量小,且电导率下降;而吸附氢气的量大,电导率升高,因此适合催化强加氢反应和弱氧化反应。p型半导体吸附氧气的量大,且电导率升高;而吸附氢气的量小,电导率下降,因此适合催化弱加氢反应和强氧化反应。本征半导体在一般的催化反应温度下,不足以产生电子的跃迁,故不作为催化剂使用...
a氧化钨(WO3)纳米材料作为一种性能优越的n型金属氧化物半导体功能材料,在光致变色、电致变色、气体探测和化学催化等诸多方面均有重要应用,如何进一步提高WO3纳米材料的气敏性能一直是气敏传感器领域的研究重点,尤其低维WO3纳米材料因其独特结构而产生的纳米效应已经引起科研人员越来越多的关注。本文结合近两年来WO3气敏传...
百度试题 题目下列属于N型金属氧化物半导体材料的有: 相关知识点: 试题来源: 解析 氧化锡氧化锌氧化铁
摘要 一种线性掺杂的高压N型金属氧化物半导体管,在N型衬底上设有P型阱和N型漂移区,在P型阱内设有P型接触孔和N型源,在N型漂移区内设有N型漏,在P型阱和N型漂移区的上方设有栅氧化层,在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于P型阱与N型漂移区交界的上方,在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层,在P...
MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型。本文金誉半导体就结构构方面给大家进行简单的描述介绍。 首先,MOS管又可分为2种种类:N型和P型。如下图所示: 解释1:N型 以N型管为例子,2端为操纵端,称之为“栅压”;3端通常接地装置,称之为“源极”;源极工作电压记作Vss,1线接正...