(2)右电极进行了掺杂,scf.input中Si原子的轨道类型变为VCA_Si1.00005,如下: (3)同样,在中心区的自洽输入文件scf.input中,被掺杂Si原子相应的轨道类型也变为VCA_Si1.00005,如下: (4)自洽计算结束后,采用1.2.3和1.2.6小节的方法,计算n型掺杂的NiSi2-Si器件的势分布和投影态密度(PDOS),如下: 图2-54:n型...
本发明是一种N型纯Si掺杂热电材料中的孔洞的制备方法.包括有如下步骤:1)用高能球磨机将纯Si和掺入的GaP按照比例混合,在球磨0～10小时后加入0.1%～1.5%摩尔比例的Sb以及0.5%～1.5%P;2)共球磨33小时后用直流快速热压机压制样品,升温速度为300℃/min;开始时压力为50MPa,在800℃时停30S,同时加压至500MPa,升温...
n型Si掺杂浓度为1015cm-3,其功函数为4.31eV,电子亲和势为4.15eV,镍的功函数为4.50eV,则镍与该n型Si紧密接触后,半导体一边的电子势垒高度为___eV,金属一边的电子势垒高度为___eV。相关知识点: 试题来源: 解析 0.19 0. 3 5 反馈 收藏
以对Si掺入As后形成的N型半导体为例,简述掺杂对半导体导电能力的影响。相关知识点: 试题来源: 解析 答案:对纯的半导体材料掺入适当的杂质,也能提供载流子。在Si掺入As 后形成的N型半导体,杂质在带隙中提供带有电子的能级,能级略低于导带底的能量,和价带中的电子相比较,很容易激发到导带中形成电子载流子。
这是因为高浓度 n 型掺杂 SiC 晶体在导带中存在大量载流子(电子),基于能带结构的特点,它们会吸收特定能量的可见光。通常情况下,半导体的禁带宽度会随着原子间距的减小而增大。就拿 SiC 来说,它的禁带宽度比 Si 大,却又小于 C(金刚石)的禁带宽度(5.5eV)。另外,GaN 的原子间距离(0.192nm)和 SiC 的原子间距离...
B、Al外层是三个价电子比Si或Ge少一个，形成空穴导电，是P型半导体；P、As外层是5个价电子比Si或Ge多一个，形成电子导电，是N型半导体。价带：与价电子能级相对应的能带称为价带。导带：价带以上能量最低的允许带称为导带。导带与价带之间的不存在薛定谔方程本征解的能量区间称为禁带。具体的可以看...
某N型掺杂Si材料,其费米能级随温度而发生变化。其费米能级最高的位置对应的温度区间为:A.低温弱电离区B.中等电离区C.过渡区D.本征区的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手
本人要制造场效应晶体管，掺杂Si做栅极，SiO2做栅极介电层。选购Si/SiO2基板时，是选用N型掺杂还是P型...
假设Si半导体中N型杂质的掺杂浓度为N4,P型杂质的掺杂浓度为N,请写出该半导体的电中性条件表达式:如果N>N,写出在热平衡和完全电离条件下,载流子(n和p)浓度的
Pt/Si肖特基二极管在T=300K时生长在掺杂浓度为ND=1016cm-3的n型Si上。肖特基势垒高度为0.89eV。计算1)En=EC-EF,2)qVD,,3)忽略势