1.填空题()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。 参考答案:电子;空穴;电子;空穴;空穴;本证 2.填空题半导体晶体的晶胞具有()对称性, Si、Ge 、GaAs 晶体为()结构。用()h,k,l 表示晶胞晶面的方向。
百度试题 题目画出N型半导体的能带图和P型半导体的能带图。相关知识点: 试题来源: 解析
百度试题 结果1 题目分别画出n型和p型半导体的能带结构图,并以Si为例说明n型和p型半导体的形成过程。相关知识点: 试题来源: 解析 答: n型半导体的能带结构 p型半导体的能带结构反馈 收藏
激光锁模技术包括 主动锁模、被动锁模 和自锁模三类。三 ( 10 分)绘出如下单异质 P-N 结的能带图。 (a)图是接触前的 P,N 型半导体的能带图。在 (b) 图
如图6-2所示为pn结接触前、后的平衡能带图,E为导带底,E为价带顶,E为禁带中心,Em、Ep分别为n型和p型半导体的费米能级。(1)试用本征载流子浓度n、能量E、E、和E1表示n型和p型半导体的多数载流子浓度2n0和 p_(pi) ;2)用no、ppo和ni表述pn结的接触电势差VD;(3)用接触电势差 V_D 表述n区和p区半导体的...
对于一块中等掺杂水平的p型半导体,画出下列4种情况下的能带简图,标出费米能级或准费米能级的位置,并总结小注入和大注入两种情况下准费米能级变化的区别(n为本征载流子浓度)。
简述理想p-n结模型。画出平衡p-n结的能带图,并标出p型/n型半导体的导带底和价带顶、费米能级和势垒高度。
画出p 型半导体在光照(小注入)前后的能带图,标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级d2 n ndx2 Dn n方程的通解为 :xxn(x) Ae Ln Be
百度试题 题目下图是金属和n型半导体接触能带图,图中半导体靠近金属的表面形成了( ) A. n型阻挡层 B. p型阻挡层 C. p型反阻挡层 D. n型反阻挡层 相关知识点: 试题来源: 解析 D.n型反阻挡层
激光锁模技术包括 主动锁模、被动锁模 和自锁模三类。三(10分)绘出如下单异质P-N结的能带图。(a)图是接触前的P,N型半导体的能带图。在(b)图中绘出解除后的平衡态能带图,并标注关键参数光电转换定律中的光电流与 光功率成正比;发生拉曼一纳斯衍射必须满足的条 件是超声波频率低,光波平行声波面入射,声光...