本征半导体的载流子兼有电子和空穴,n型半导体的载流子是电子,p型半导体的载流子是空穴。本征半导体既有导带中的电子定向运动,又有满带中的电子定向运动;n型半导体中杂质电子极易向导带跃迁,供给自由电子,而p型半导体中满带中电子极易跃入杂质能级,使满带中产生空穴。
解析 1.答:本征半导体导带中的载流子为电子,满带中的载流子为“空穴”;N型半导体的载流子为电子,P型半导体的载流子为“空穴”。它们的能带结构有如下区别:本征半导体导带与满带间有较大的禁带,N型半导体的杂质能级接近于导带下沿,P型半导体杂质能级接近于满带上沿。
p-型半导体是以空穴为载流子n-型半导体是以电子作载流子。 半导体有电子和空穴两类载流子。本征半导体是指高纯材料,导带中的电子数完全受禁带的能隙大小和温度的支配、即不含杂质的半导体。p-型半导体是以空穴为载流子,n-型半导体是以电子作载流子。
n型半导体和p型半导体在导电机制上的主要区别在于它们的载流子类型和浓度。 在n型半导体中,自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子。这意味着n型半导体中电子的浓度较高,而空穴的浓度较低。因此,n型半导体的导电机制主要是通过自由电子的移动来实现的。 相反,在p型半导体中,空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子。
在p型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是电子。但在n型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。n型半导体中的电子密度远大于空穴密度,表示为ne >> nh,而在p型半导体中,空穴密度远大于电子密度:nh >> ne。在n型半导体中,施主能级接近导带并远离价带。而在p型半导体中,受主能级接近价带而远离导...
从内在结构来看,p型半导体与n型半导体的差异源自其掺杂的杂质元素。p型半导体通过掺入三价杂质原子,使得原本的半导体材料中产生了空穴,这些空穴在电场作用下成为主要的导电载流子。相比之下,n型半导体则是通过掺入五价杂质原子,增加了自由电子的数量,这些自由电子在电场作用下移动,成为n型半导体导电的主导力量。...
LED的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体的交界面就会出现一个具有特殊导电性能的薄层,也就是常说的PN结(PN Junction Transistors)。PN结可以对P型半导体和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生阻力,当对PN结施加正向电压时,电流从LED的阳极流向阴极,而在PN结中少数载流子与多数载流子...
N型半导体:N型半导体通常是通过在纯净的半导体材料中掺入具有五价负电荷的杂质元素(如磷、砷等)而形成的。这些杂质元素会引入额外的自由电子(负电荷载体)到半导体晶格中。 导电性质: P型半导体:在P型半导体中,空穴是主要的载流子,即正电荷在外加电场下移动形成电流。空穴的移动方向是从正极向负极。
半导体基础知识相关资料分享 元素,可转型为 P 型半导体;反之, P 型半导体也可通过掺入足够的五价元素而转型为N型半导体。 3. 半导体中的两种电流 (1)漂移电流:在电场作用下,载流子定向运动所形成的电流则称为漂移电流 nhonglan 2021-05-24 08:05:48 ...