由于基准S极电位浮动,再控制G极电压就会相对变得复杂。 下面电路设计实例: 通过MCN控制功率电路通断,使输出电压Vo能够随时等同于Vbat或者0,从而控制给后续负载电路的供电。 首先,Vbat电压是确定的,Vo及后级电压是不固定的。 我们以Vbat作为固定的基准电压来采用HSD高边驱动进行控制开关管。 高边驱动优先考虑PMOS进行...
由于基准S极电位浮动,再控制G极电压就会相对变得复杂。 下面电路设计实例: 通过MCN控制功率电路通断,使输出电压Vo能够随时等同于Vbat或者0,从而控制给后续负载电路的供电。 首先,Vbat电压是确定的,Vo及后级电压是不固定的。 我们以Vbat作为固定的基准电压来采用HSD高边驱动进行控制开关管。 高边驱动优先考虑PMOS进行...
1、P沟道MOS管开关电路 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。2、N沟道mos管开关电路 NM...
1、P沟道MOS管开关电路 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,Vgs指的是栅极G与源极S的电压,即栅极低于电源一定电压就导通,而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大,所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。 2、N沟道mos管开关电路 NMOS...
如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 在电路中常见到使用MOS FET场效应管作为开关管使用。如下图: 如图1所示,使用了P沟道的内置二极管的电路,此处二极管的主要作用是续流作用,电路...
由于n沟道mos管开关电路其导通电阻小,且容易制造所以项目中大部分用到的是n沟道mos管开关电路。在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。寄生二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。 1.导通特性 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动...
NMOS和PMOS晶体管的导通和截止原理主要依赖于它们的栅极电压: ① N-MOS:栅极 G 电压高于源极 S 电压时(如 V(GS)=5V),N-MOS 管导通;而当栅极电压低于源极电压时,N-MOS 管截止。 ② P-MOS,栅极电压 G 低于源极 S 电压时(如 V(GS)=-5V),P-MOS 管导通;而当栅极电压高于源极电压时,P-MOS 管截止...
如下图,上边使用了PMOS管作为高边开关,下边使用NMOS管作低边开关,这两种驱动电路都能有效地控制负载的工作。 那为什么通常都把P管放在高边,N管放在低边呢? MOS管作为一种开关,可以放在负载前也可以放在负载后。 这是由两种开关管的开启条件不同所导致的。
本文正是采用了自举升压电路,设计了一种具有大负载电容驱动能力的,适合于低电压、高开关频率升压型DC-DC转换器的驱动电路。电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证,在供电电压1.5V ,负载电容为60pF时,工作频率能够达到5MHz以上。 图2 用于PMOS的驱动电路...
P型MOS管开关电路图资料推荐 P型MOS管开关电路图PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导 1123127317 2021-10-28 10:07:00