对于高压半导体器件来说（高于1kV），通常N型区为低掺杂，原因如下：
不懂
很简单啊，重掺杂就添个加好，如N+，P+；同理轻掺杂就添个符号，N-，P-。
当掺杂越来越多,掺杂费米能级就越长越高,最后接近甚至进入导带,也就是常说的简并~ 当掺杂P杂质时,掺杂费米能级将向价带移动. 相关推荐 1 为什么n型半导体中重掺杂会使费米能级进入导带 反馈 收藏
自然需要更多的空间，此空间是能量空间，不是我们通常认识的几何空间），移动后的费米能级就是掺杂费米能级，而本征费米能给是不动的。当掺杂越来越多，掺杂费米能级就越长越高，最后接近甚至进入导带，也就是常说的简并~当掺杂P杂质时，掺杂费米能级将向价带移动。。。类似的过程~~...
答:在重掺杂半导体中,杂质浓度对能带结构作用主要表现在两个方面:即对能态函数影响。一是对半导体晶格原子相关态密度;一个是杂质原子相联络态密度。 首先。以n型硅为例,Nd增加,杂质向半导体Si原子提供电子数目越来越多,过量电子屏蔽作用使得Si原子最外层价电子所处周期势场发生改变,造成带边显著能量边界含糊,使得边...
1.一种 N 型重掺杂薄层氮化镓材料的二次外延方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)选取外延材料,置于 MOCVD 外延生长设备内的基座上; (2)设定反应室压力,在氨气气氛下,将反应室升温至预设温度,然后持续通入铟源; (3)保持反应室压力、温度、铟源流量及氨气流量不变,通入镓源和硅烷;通过调整镓 源流量,使 GaN...
急，一般重掺杂的N型半导体掺杂浓度是什么数量级？
重掺杂n型锗 1.本发明涉及一种制造无位错单晶ge的方法,所述单晶ge被磷n型掺杂并且电阻率小于10mohm.cm。它还涉及呈大直径块状晶体形式的n型掺杂材料,以及来源于这些晶体的晶片。 2.n型ge晶片市场主要针对光电器件,例如垂直腔面发射激光器(vcsel)或中红外等离子体传感器。vcsel是一种具有从顶面垂直发射激光束的半...
导带底电子有效质量由能量对k取二阶导数，群速度取一阶导数。我的问题是对于n型重掺杂（费米能级进入...