关键词:N++重掺磷硅单晶 石英掺杂器 掺杂计算 拉制工艺 引言: 众所周知,N 型电池是制作高效太阳电池的未来之星,我们应大力开发研 究和生产太阳电池级 N 型硅片,而拉制 N 型硅单晶需有 N++重掺磷硅单晶 (此时可称为母合金)来作为掺杂剂。拉制重掺需用高纯赤磷,赤磷在常压下 的升华温度为 416℃,而硅单...
[0005]专利CN200910152971在真空或氩气保护下,融熔多晶硅,将镓熔入硅熔液中形成掺镓硅溶液,生长直拉硅单晶,在晶体生长过程中,当晶体的电阻率在1.2-1.0Ω.cm的时候,向剩余的掺镓硅溶液中掺入磷,形成磷、镓共掺的硅溶液后继续生长,使得晶体的电阻率被重新调控到3.0 Ω.cm,在晶体固化率达到80?90%时停止生长,...
摘要 一种N型重掺磷母合金硅棒制备工艺,步骤包括,选用一台单晶炉,采用20”石墨热场和20”石英坩埚,装料量70公斤硅多晶,加热熔化;将520克“N”高纯赤磷装入石英掺杂器中;将适应掺杂器装在籽晶卡口,升入单晶炉副室中导气,再打开翻板阀将石英掺杂器降到已测试好的390mm位置,使其升华自动导入到硅熔体中,并在...
本发明公开了一种N型掺杂硅单晶的制备方法,利用直拉法,将熔体硅原始质量设为W3;熔体液面到达r弧形过渡区时的熔体硅的重量设为W2;熔体液面到达r弧形过渡区与底部R弧形区相交位置时的熔体硅的重量设为W1;在坩埚内剩余熔体硅的重量为1.5W2时,开启底部加热器S10;在剩余熔体硅的重量从1.5W2变化至W2的过程中,底部...
在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。 1.1单晶硅的光电转化原理 纯的硅晶体总体显电中性,自由电子...
在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。 1.1单晶硅的光电转化原理 纯的硅晶体总体显电中性,自由电子...
1.一种磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶,其特征在于:磷作为主要掺杂元素,砷、锑中的一种或二种作为辅助掺杂元素,所述的磷的浓度大于等于4.6×1019/cm3,在掺杂元素中占比大等于60%,辅助掺杂元素在掺杂元素中的占比为0.1%-40%。 2.如权利要求1所述的磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶,其特征在于: 所...
磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶,磷作为主要掺杂元素,砷、锑中的一种或二种作为辅助掺杂元素,所述的磷的浓度大于等于4.6×1019/cm3,在掺杂元素中占比大等于60%,辅助掺杂元素在掺杂元素中的占比为0.1%‑40%。本发明能消除或显著减少硅外延片中因晶格失配引起的滑移线的N型重掺直拉硅单晶,可以有效减少或...
本发明公开了磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶及其硅外延片.磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶,磷作为主要掺杂元素,砷,锑中的一种或二种作为辅助掺杂元素,所述的磷的浓度大于等于4.6×1019/cm3,在掺杂元素中占比大等于60%,辅助掺杂元素在掺杂元素中的占比为0.1%40%.本发明能消除或显著减少硅外延片中因...
本发明能消除或显著减少硅外延片中因晶格失配引起的滑移线的N型重掺直拉硅单晶,可以有效减少或消除在由高掺杂浓度的N型重掺直拉硅单晶加工的抛光片上生长外延层时产生的失配位错线缺陷;且在解决该问题的同时不会产生在高温过程后半导体器件过渡区变宽的问题;改变了业界惯例即在硅单晶中磷砷锑中的多种不能同时...