系列1 见描述 ?? 200 品牌 见描述 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 类型: SDRAM - LPDDR4 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: FBGA 封装: Tray 商标: Micron 湿度敏感性: Yes 产品类型: DRAM 工厂包装数量: ...
型号: MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 封装: 原厂封装 批号: 2年内 数量: 4000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 7.5V 长度: 3.8mm 宽度: 1.2mm 高度: 2.6mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参...
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ,MICRON/美光,动态随机存取存储器 16Gb低VDDQ移动低功耗DDR4 SDRAM(LPDDR4X)是一种高速CMOS动态 随机存取存储器设备。该设备内部配置2通道或1通道×16 I/O,每个通道具有8个组。 一般注意事项 危芯练戏:依叭溜溜寺山寺依武叭武, 在整个数据表中,图形和文本将DQ称为DQ。DQ应解...
DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133 GHz, 200 Pins, TFBGA 点击图片放大制造商: Micron 产品分类: 内存, DRAM 安富利制造商模型#: MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 比较 规格书 RoHS 6 Compliant Star 打印 书签 分享 错误呈报 Another buying option from our Partner Farnell 额...
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B由micron(镁光)设计生产,立创商城现货销售。MT53E512M32D1ZW-046 WT:B价格参考￥57.27。下载MT53E512M32D1ZW-046 WT:B中文资料、引脚图、Datasheet数据手册,有DDR SDRAM详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 多种规格高性能元器件 销售回收DDR品牌 价格 ¥ 1.22 ¥ 1.18 ¥ 0.77 起订数 5PCS起批 100PCS起批 500PCS起批 发货地 广东深圳商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 销售回收DDR、 MT53E512M32D1ZW、 046 ...
型号: MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 封装: BGA 批号: 2020+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 8V 长度: 3.3mm 宽度: 8.5mm 高度: 1.7mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动...
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA 制造商 :Micron Semiconductor Products Inc 封装/规格 :200-TFBGA 产品分类 :内存 Datasheet:MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Datasheet (PDF) RoHs Status:Lead free / RoHS Compliant ...
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 品牌:Micron Technology Inc. 库存:689 批号:全新环保批次 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 电压- 供电:1.06V ~ 1.17V 封装/外壳:200-TFBGA PDF数据手册: 其他型号 PDF数据手册 MTFC16GAPALHT-AIT MTFC16GAPALGT-AAT MT47H256M4HQ-5E:E TR MT47H128M4BT-37E:A TR MT25...