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回收DDR345代D9TGJMT40A512M8RH-075E:B SK海力士已经确认与台积电在下一代高带宽存储器(HBM)的量产上合作。SK海力士决定将HBM4基础芯片的半导体前端工艺(FEOL)、硅通孔(TSV)形成、BEOL等交由台积电负责,而从晶圆测试到HBM组装、已知良好堆叠芯片(KGSD)测试等后续工艺则在自家的后端工艺工厂进行。这意味着传统的...
型号:MT40A512M8RH-075E IT:B 类型:DDR4 品牌:镁光 封装: 状态:在售 技术手册:查看 立即询价 联系我们 电话:0755 82988826 手机:19166208396 Q Q:3628728973 邮箱:3628728973@qq.com 相似产品 MT40A1G8WE-062E:D DDR4 镁光/MICROM 品牌:镁光 / DDR4 ...
制造商产品型号:MT40A512M8RH-075E AUT:B 制造商:美光半导体(Micron) 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA 产品系列:存储器 包装:托盘 系列:- 零件状态:停产 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:1.33GHz 写周期时间-字,页:- 访问...
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制造商产品型号:MT40A512M8RH-075E AIT:B TR 制造商:美光半导体(Micron) 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA 产品系列:存储器 包装:卷带(TR),剪切带(CT) 系列:- 零件状态:停产 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:1.33GHz 写周...