在读写速度方面，MT29E4T08CTHBBM5-3:B表现出色，其连续读取速度高达数千兆字节每秒（MB/s），连续写入速度也同样令人瞩目。这使得它在处理大数据、高清视频等高性能需求时，能够游刃有余。此外，NW864美光固态闪存MT29E4T08CTHBBM5-3:B还具备出色的耐久性和可靠性。通过先进的错误纠正技术（ECC）和磨损均衡算法...
型号 MT29E4T08CTHBBM5-3:B 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活...
NW864美光固态闪存MT29E4T08CTHBBM5-3:B采用了先进的3D NAND技术,这种技术通过垂直堆叠存储单元,大幅提高了存储密度和性能。同时,该固态闪存还采用了TLC(Triple-Level Cell)技术,通过增加每个存储单元的存储位数,进一步提升了存储容量。在读写速度方面,MT29E4T08CTHBBM5-3:B表现出色,其连续读取速度高达数千兆字节...
NW864美光固态闪存MT29E4T08CTHBBM5-3:B采用了先进的3D NAND技术,这种技术通过垂直堆叠存储单元,大幅提高了存储密度和性能。同时,该固态闪存还采用了TLC(Triple-Level Cell)技术,通过增加每个存储单元的存储位数,进一步提升了存储容量。在读写速度方面,MT29E4T08CTHBBM5-3:B表现出色,其连续读取速度高达数千兆字节...
型号:MT29E4T08CTHBBM5-3:B 品牌:美光 系列:闪存 - NAND 描述:FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ 包装:卷带(TR) 零件状态:不适用于新设计 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:4Tb(512G x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:333 MHz 写周期时间-字,页:- ...
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR Description IC FLASH 4TBIT PARALLEL 333MHZ Packaging Type Tape & Reel (TR) Function Standard Application Standard Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA) Type Standard Package / Case - Series Standard Features Standard Mounting Type - Manufacturing Date Code Standar...
唯样商城为您提供Micron设计生产的MT29E4T08CTHBBM5-3:B 元器件,主要参数为:,MT29E4T08CTHBBM5-3:B库存充足,购买享优惠!
型号 MT29E4T08CTHBBM5-3:B 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活...
NW864美光固态闪存MT29E4T08CTHBBM5-3:B 在今天的科技数码领域,固态闪存(Solid State Drive,简称SSD)已成为存储市场的重要一环。在众多品牌和型号中,NW864美光固态闪存MT29E4T08CTHBBM5-3:B以其卓越的性能和稳定性,赢得了业界和用户的广泛赞誉。本文将对这款固态闪存进行深入的解析,探讨其技术特点、应用场景以...
型号 MT29E4T08CTHBBM5-3:B 技术参数 品牌: MICRON 型号: MT29E4T08CTHBBM5-3:B 封装: 原厂封装 批号: 21+ 数量: 11565 类别: 集成电路(IC) 产品族: 存储器 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 存储容量: 4Tb(512G x 8) 存储器接口: 并联 时钟频率: 333MHz 电压- 电源: 2.5V ~ 3.6V ...