型号 MRF101BN 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也...
MRF101BN和MRF101AN RF 设备数据手册说明书 MRF101BN MRF101AN
MRF101BN 规格参数 关键信息 制造商NXP 商标NXP Semiconductors 技术类参数 晶体管极性N-Channel 技术Si 漏极电流8.8 A 漏源击穿电压133 V 工作频率1.8 MHz to 250 MHz 输出功率100 W 正向跨导(Min)7.1 S 通道数量1 Channel 耗散功率182 W 栅极电压- 6 V, + 10 V ...
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MRF101BN 制造商:NXP Semiconductors 批号:新批次 描述:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL PDF下载: 购买、咨询产品请填写询价信息 询价型号*数量*批号封装品牌其它要求 请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
Part No. MFG D/C QTY Packing Package Note MRF101BN NXP 21+ 2000 LDMOS ISM和广播 Part No. MFG D/C QTY Packaging Package Note Username Password Tel Mail Contact personHome | Stock Centers | Photo Gallery | Brand Category | Information goods | Online order | Contact | About Copyright @ ...