MRFG35010MT1 概述 Gallium Arsenide PHEMT 砷化镓PHEMT 射频场效应晶体管 MRFG35010MT1 数据手册 通过下载MRFG35010MT1数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Freescale Semiconductor, Inc. ...
制造商产品型号:MRFG35010R5 制造商:飞思卡尔半导体 Freescale(已被NXP恩智浦收购) 描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF 系列:- 晶体管类型:pHEMT FET 频率:3.55GHz 增益:10dB 电压- 测试:12V 额定电流:2.9A 噪声系数:- 电流- 测试:180mA 功率- 输出:10W 电压- 额定:15V 产品封装:NI-360HF 供应商器...
晶体管类型:pHEMT FET 频率:3.55GHz 增益:10dB 电压- 测试:12V 额定电流:2.9A 噪声系数:- 电流- 测试:180mA 功率- 输出:9W 电压- 额定:15V 产品封装:PLD-1.5 供应商器件封装:PLD-1.5 现在可以订购MRFG35010MT1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。
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型号MRFG35010AR1 制造商Freescale 描述3.5 GHz,10 W,12 V 功率 FET GaAs pHEMT 频率0 - 6000 MHz 供电电压12 V 增益10 dB @ 10 MHz 功率(W)10 W 类似商品 MRFG35005ANT1 晶体管 Freescale MRFG35003ANT1 晶体管 Freescale MRFG35010ANT1 ...
结型场效应管(JFET)> MRFG35010MR5 预售商品 温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准 对比 MRFG35010MR5 品牌名称 NXP(恩智浦) 商品型号 MRFG35010MR5 商品编号 C17630119 包装方式 袋装 商品毛重 1克(g) 商品参数 参数完善中 梯度价格 梯度 售价 ...
MRFG35010MT1 3.5 GHz, 9 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT - Archived 立即下载 Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. This device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications.原创声明:本文为恩智浦原创...
部件名MRFG35010AR1 下载MRFG35010AR1下载 文件大小419.6 Kbytes 页20 Pages 制造商FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc] 网页http://www.freescale.com 标志 功能描述GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor ...
描述MRFG35010MT1 3.5 Ghz, 9 W, 12 V 电源 Fet Gaas Phemt 公司Motorola Semiconductor Products 数据表 购买 找到哪里买 功能,应用 适用于频率从 3.6 GHz 的 WLL/MMDS/BWA 或 UMTS 驱动器应用。典型 WCDMA 性能:42 dBc ACPR,3.55 GHz,12 伏特, IDQ = 180 mA,5 MHz 偏移/3.84 MHz BW,64 DPCH (8....
类似零件编号 - MRFG35010AR1 制造商部件名数据表功能描述 Freescale Semiconductor...MRFG35010AR1 419Kb/20PGallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor More results NXP半导体是一家公开交易的跨国公司,设计,开发和制造各种半导体和集成电路,用于各种应用,包括汽车,工业,通信和消费市场。