MRAM当中包括很多方向的研究,如微波驱动、热驱动等等,传统的MRAM和STT-MRAM是其中最重要的两大类,它们都是基于磁性隧道结结构,只是驱动自由层翻转的方式不同,前者采用磁场驱动,后者采用自旋极化电流驱动。 对于传统的MRAM,由于在半导体器件中本身无法引入磁场,需要引入大电流来产生磁场,因而需要在结构中增加旁路。因此,...
MRAM当中包括很多方向的研究,如微波驱动、热驱动等等,传统的MRAM和STT-MRAM是其中 重要的两大类,它们都是基于磁性隧道结结构,只是驱动自由层翻转的方式不同,前者采用磁场驱动,后者采用自旋极化电流驱动。 对于传统的MRAM,由于在半导体器件中本身无法引入磁场,需要引入大电流来产生磁场,因而需要在结构中增加旁路。因此,...
它们就是MRAM和RRAM。 MRAM(磁阻式随机存取储存器)是一种非挥发性存储器技术,他的技术特点是就算电流关掉,存储器中的资料也并不会消失。MRAM这种技术和我们现在常见的非易失性存储器NAND Flash相似,但它的读写速度接近SRAM,同时具备NAND Flash芯片的非挥发性特质,寿命不逊色于DRAM,能耗也比DRAM低。 RRAM(可变电阻...
它们就是MRAM和RRAM。 MRAM存储器结构 MRAM(磁阻式随机存取储存器)是一种非挥发性存储器技术,他的技术特点是就算电流关掉,存储器中的资料也并不会消失。MRAM这种技术和我们现在常见的非易失性存储器NAND Flash相似,但它的读写速度接近SRAM,同时具备NAND Flash芯片的非挥发性特质,寿命不逊色于DRAM,能耗也比DRAM低。
三大新兴存储技术：MRAM、RRAM和PCRAM 三大新兴存储技术：MRAM、RRAM和PCRAM 在如此庞大的资料储存、传输需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷，且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下，驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈进的新兴记忆体。其中有3种...
晶圆代工大厂台积电和三星的竞争,现由逻辑芯片扩及内存市场。 台积电这次重返内存市场,瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存,因传输速度比一般闪存快上万倍,是否引爆内存产业的新潮流,值得密切关注。 台积电技术长孙元成日前在台积电技术论坛,首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取内存)和eRRAM...
Spin Memory的垂直环绕栅晶体管可以缩小MRAM和RRAM存储单元。 Spin Memory将设备称为“通用选择器”(Universal Selector)。在存储器单元中,选择器是用于访问所述存储器元件——MRAM中的一个磁隧道结。也是RRAM的一种电阻材料RRAM,也就是DRAM的电容器。这些通常内置于硅的主体中,而存储元件则构造在其上方。使选择器...
除了此前已经宣布的MRAM(磁阻式随机存储存储器)将使用22FFL之外,英特尔在VLSI 2019大会上表示,22FFL工艺已经准备好生产RRAM(可变电阻随机存储存储器)。 MRAM和RRAM是两种介于DRAM和NAND Flash之间的产品,它们既拥有DRAM的高读写性能,也拥有NAND Flash产品的非易失性,并拥有超长寿命及可靠性,上万次的写入、10多年的...
但22FFL工艺明显已经会用于生产高性能x86处理器,英特尔已经微信工艺找到了自己的位置。除了此前已经宣布的MRAM(磁阻式随机存储存储器)将使用22FFL之外,英特尔在VLSI 2019大会上表示,22FFL工艺已经准备好生产RRAM(可变电阻随机存储存储器)。 MRAM和RRAM是两种介于DRAM和NAND Flash之间的产品,它们既拥...
晶圆代工大厂台积电和三星的竞争,现由逻辑芯片扩及内存市场。 台积电这次重返内存市场,瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存,因传输速度比一般闪存快上万倍,是否引爆内存产业的新潮流,值得密切关注。 台积电技术长孙元成日前在台积电技术论坛,首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取内存)和eRRAM...