MPQ1918GQE-AEC1-Z是MPS的一款栅极驱动器。专为驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) FET 和低栅极阈值电压 N 沟道 MOSFET而设计。采用独立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。它采用自举技术提供HS 驱动电压自举,并可以在高达 100V 的电压下工作。其新型充电技术可防止 HS 驱动电压超过...
制造商编号 MPQ1918GQE-AEC1-Z 制造商 MPS(芯源系统) 唯样编号 A-MPQ1918GQE-AEC1-Z 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值...
MPQ1918GQE-AEC1-Z是MPS的一款栅极驱动器。专为驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) FET 和低栅极阈值电压 N 沟道 MOSFET而设计。采用独立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。它采用自举技术提供 HS 驱动电压自举,并可以在高达 100V 的电压下工作。其新型充电技术可防止 HS 驱动电压超过...
MPQ1918GQE-AEC1-Z 型号简介 MPQ1918GQE-AEC1-Z是MPS的一款栅极驱动器。专为驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) FET 和低栅极阈值电压 N 沟道 MOSFET而设计。采用独立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。它采用自举技术提供 HS 驱动电压自举,并可以在高达 100V 的电压下工作。其新型...