Mott-Schottky公式为: 其中C为界面电容(Interfacial capacitance), Vfb为平带电位;由此可以看出,电容平方的倒数与外加电位为线性关系,以两者分别为y轴和x轴作图,如Fig.3所示,直线在x轴的截距即为平带电位。(严格来看应该还有kT/e这一项,目前我看到的资料上都没写为什么就直接省略了,应该是相比较外平带电位这个值来...
测量平带电压时，通过在一定电位范围内记录EIS，绘制Mott-Schottky图即可获得平带电位。Mott-Schottky方程表示电容平方的倒数与外加电位线性关系，直线的x轴截距即为平带电位。CPE元件描述的总电容主要来自空间电荷层，电容计算时需考虑其对结果的影响。研究平带电位时，需确保CPE的ideality factor（alpha）符合...
用Mott-Schottky方程做图法测量平带电势,如何从阻抗图中读取电容值?求大神指点 0评论 +关注 共3个回答 想哭,机修 2018-12-18回答 根据电容与阻抗虚部的关系式计算电容: C=-1/(2*pi*f*Z'') 6 评论0 举报 情话.情愿.,设备工程师 2018-12-18回答 根据电容与阻抗虚部的关系式计算电容: C=-1/(2...
补充资料:Mott-Schottky equation 分子式: CAS号: 性质:该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系:式中ε为相对介电常数,εn为真空介电常数,N是施主(对n型半导体)或受主(对p型半导体)密度;E及Efb分别为电极电势及平带电势,均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述...
5) Schottky junction 肖特基结 1. The improvement of its performance was analyzed by substituting the ZnSe p n junction with the Au/i ZnSe/n ZnSe (MIS structure) Schottky junction. 根据测得的ZnSep n结的外量子效率(QE)曲线,研究了ZnSe/GaAs/Ge叠层多结光电池的ZnSe顶电池结构、优缺点及全...