文中在研究了以上拓扑结构的基础上,分析了一种新型的 H6 桥结构[5],其具有更低的漏电流,更小的输出电流失真,不需要前端的分裂电容,且在桥臂中点间形成续流回路,电流不经过开关管本身的反并联二极管,可以获得更高效率。文中设计了 1 kW 样机,实验结果证明此拓扑可以很好地实现共模电流 的抑制,更好应用于非隔离...
虹美功率拥有双芯合封的技术,使得一个HM607K芯片内同时包含P-MOS管和N-MOS管,H型电桥的上桥臂用P-MOS管,而下桥臂用N-MOS管,方便简化了控制电路的设计,同时使H型电桥控制电路的设计面积进一步缩小。超低漏源导通电阻RDS(ON)的高密度核芯设计,使产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致。HM607K具有显著优...
在全桥和半桥拓扑等硬开关电路中,采用 IGBT 封装的封装是快速恢复晶体管或 MOSFET 体二极管。当相应的开关导通时,二极管有电流流过,二极管的恢复特性决定了Eon损耗。因此,选择具有快速体二极管恢复特性的 MOSFET 非常重要。不幸的是,MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比目前业界使用的分立二极管要慢。因此,对于硬...
【经典】一种基于MOSFET的H_6桥非隔离光伏并网逆变器_王丛
汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore™2是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装,采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB陶瓷板,可适配标准CAV应用型封装,可有效降低新能源商用车主驱电控...
U-MOSⅨ-H系列利用卓越的高速性能,为各种拓扑结构的开关电源提供低损耗MOSFET。当TPH3R70APL和TPH1R306PL用于移相全桥DC-DC转换器的初级和次级侧时,TPH3R70APL和TPH1R306PL的效率等于或优于整个输出电流范围内的最具竞争力的产品(最大效率:95.83 %)。U-MOSⅨ-H系列用于各种应用,包括用于基站的DC-DC转换器、...
模块上下桥臂开关具有对称的开关特性 在成熟的62mm标准结构工艺大规模产线上生产,保证了CoolSiC™ MOSFET模块产品质量一致性,非常可靠。 相关联产品 型号 品牌 封装 数量 描述 FF33MR12W1M1HB11BPSA1 INFINEON MODULE 1000 集成CoolSiC™ MOSFET 的半桥 1200V 模块 ...
产业战略规划,是车规级碳化硅半桥MOSFET模块企业综合运用各种理论分析工具,从当地实际状况出发,充分考虑国际国内及区域经济发展态势,对当地产业发展的定位、产业体系、产业结构、产业链、空间布局、经济社会环境影响、实施方案等做出一年以上的科学计划。在做产业战略规划时,包括现状分析、发展战略、产业定位、产业体系、产业...