AP88N30W-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO3P 封装,主要设计用于高压和高功率的应用场合。该器件采用了 SJ_Multi-EPI 技术,具有优异的耐压能力和稳定性,适合于要求高电压和高电流的功率开关电路设计。 ### 2. 详细的参数说明: - **封装类型**: TO3P- **通道类型**: 单 N 沟道- **最大漏极-源...
封装 TO-3P 批号 2021+ 数量 50000 产地 韩国/中国 系列 平面MOS 一级代理 百硅半导体 电压 600V 电流 13A 导通电阻RDS 0.65Ω 可售卖地 全国 型号 SMK1360CI 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而...
2SK3453-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO-3P封装。它具有900V的漏源极电压(VDS),适用于高压应用。采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高电压承受能力和稳定性。 ### 产品参数说明 - **封装类型**:TO-3P- **配置**:单N沟道- **漏源极电压(VDS)**:900V- **栅源极电压(VGS)**:±30V- **阈值电压(Vt...
BT40T60 ANF MOSFET TO-3P(N) 内阻 阳极电流 栅极电流 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注...
型号 TSA18N50MD 18A V RDS0.32ΩTO-3P 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品...
价格 ¥ 1.05 ¥ 0.90 ¥ 0.85 起订数 546个起批 1046个起批 520057个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 CS30N50ANR、 华晶、 TO-3P(N) 商品图片 商品参数 品牌: 华晶 封装: TO-3P(N) 批号: 20+ 数量: 100046 数量: 100046 ...
封装 TO-3P 批号 21+ 数量 500000 【加工定制】 是 【营销方式】 厂家直销 【产品性质】 热销 【交期】 最快当天发货 【订货】 接受中小批量排单订货 【价格】 请联系客服确认 可售卖地 全国 型号 GT30J122A MOS管(MOSFET场效应管) 可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N...
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2SK3903-VB 是一款高性能的单 N-沟道 MOSFET,采用 TO3P 封装。该器件具有 600V 的漏源极电压和 15A 的漏极电流处理能力,适用于中高功率和中高电压的应用场景。其采用了先进的超结多重外延(SJ_Multi-EPI)技术,具有低导通电阻和高稳定性,适用于要求高性能的电路设计。
封装/箱体 TO-3P-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1Channel Vds-漏源极击穿电压 1.5kV Id-连续漏极电流 2.5A RdsOn-漏源导通电阻 12Ohms Vgs-栅极-源极电压 -20V,+20V Vgsth-栅源极阈值电压 4V 最小工作温度 -55C 最大工作温度 +150C Pd-功率耗散 100W 通道模式 Enhancement 高度...