PNP加速关断电路是目前应用最多的电路,在加速三级管的作用下可以实现瞬间的栅源短路,从而达到最短的放电时间,之所以加二极管一方面是保护三级管基极,另一方面是为导通电流提供回路及偏置,该电路的优点为可以近似达到推拉的效果加速效果明显,缺点为栅极由于经过两个PN节,不能是栅极真正的达到0伏。 当源极输出为高电压时...
Totem-Pole驱动器有个“硬核”特性:上NPN和下PNP的基极-发射极结能互相钳位,防止反向击穿。比如OUT输出高,栅极若振荡到正电压,上管BE反偏,但下管BE-OUT会钳位到约0.7V;OUT低时,负电压振荡被上管钳位。假定环路小(L < 1nH),RGATE忽略,栅极电压被限制在VBIAS + VBE(≈5.7V)和GND - VBE(≈-0.7V)之间。
在导通电阻方面,PNP和NPN双极型晶体管的主要区别在于导通时的电压极性。具体来说,PNP晶体管是N型半导体基区被夹在两个P型半导体的P型发射极和P型集电极之间,当发射极-基极结正偏时,晶体管导通,形成一个PNP电流流动通道,导通时电流从发射极注入基区,从集电极流出。与之相反,NPN晶体管是P型半导体基区夹在两个N...
让我们更详细地了解一下 PNP 加速关断驱动电路。04 、PNP加速关断f驱动电路 下面我们看一下PNP快速关断电路：目前，PNP快速关断电路最为流行。在加速三极管的作用下可以建立瞬时栅源短路，从而得到最短的放电时间。二极管的作用是一方面保护三极管的基极，另一方面为传导电流提供环路和偏置。该电路的优点是可以接近推挽动...
它由MOSFET和BJT的组合制成,使用如上所示的达灵顿对配置,一个N沟道MOSFET与PNP晶体管。一个正的栅极-发射极电压V-GE开关接通MOSFET,启动基极电流到PNP。PNP接通并传导巨大的电流。 这种组合提高了整体电压和电流额定值,减少了输入损耗和体面的开关速度。操作起来要容易得多。
这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。图1-1所示 A 、B分别是它的结构图和代表符号。同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道（PNP型）增强型MOS...
在PNP 加速 MOSFET 关断的电路中,基级电阻是一个关键元件。它的作用是限制 PNP 型晶体管基极电流的大小,从而控制 PNP 型晶体管的导通速度。当基极电阻较大时,PNP 型晶体管的导通速度较慢,可以减小 MOSFET 关断过程中的电流冲击;当基极电阻较小时,PNP 型晶体管的导通速度较快,可以提高 MOSFET 的关断速度。因此,...
NPN型通常称为N沟道型,PNP型通常称P沟道型。如图1所示,对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管,如图2所示,其源极和漏极则接在P型半导体上。无论N型或者P型MOS管,其工作原理是一样的,都是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流 (或称输入回路的电场效应),...
在PNP 型晶体管加速 MOSFET 关断的电路中,基级电阻是一个非常重要的元件。它的主要作用是限制 PNP 型晶体管的基极电流,防止基极电流过大而损坏晶体管。 在选择基级电阻时,需要考虑以下几个因素:首先,要保证电阻的功率大于 PNP 型晶体管的基极电流乘以电阻的电压降;其次,电阻的阻值要适当,以保证在 PNP 型晶体管...
2.1 场效应管分类 场效应管在大类上分为JFET和MOSFET。JFET工作电流很小，适合于模拟信号放大，分为N沟道和P沟道两种。与双极型晶体管中的NPN和PNP类似，N沟道和P沟道仅是工作电流的方向相反。而且JFET由于应用场合有限，所以市场上该类产品数量较少。实际使用时，我们比较常见的场效应管是MOSFET。 MOSFET分为EMOS...