首先接通低压24V，再接通高压300V，接通高压瞬间mos管击穿（偶发事件，几十次发生1次击穿事件），DS短路...
首先你要确认是否是MOSFET短路，去下mosfet，看看线路的GS和DS是否短路，如果PCB不短路说明MOSFET短路，这就可能是你的电流过大导致MOSFET短路，这有可能是你后端电路短路引起的，如果PCB都短路了,那就一定是后端电路引起的，你就要好好检查电路了
综上所述,SiC MOSFET面积小、短路电流高、漂移层薄等特性,导致其短路时发热量集中,相对IGBT来说,短路时间就相对短一些。 是不是SiC MOSFET短路能力就一定不如IGBT呢?也并不是这样。功率器件的短路能力都是设计出来的,短路能力需要和其他性能做折衷。比如增加器件沟道密度,MOSFET的导通电阻会下降,但相应的,电流密度...
由于MOSFET是电压型器件,当驱动电压Vgs大于Vth电压就可以开通,开通就是给寄生电容充电的过程,同理,关断就是寄生电容的放电过程。 寄生电容 输入电容Ciss=Cgs+Cgd,由DS短路测得 输出电容Coss=Cgd+Cds,GS短路,Cgd和Cds并联所得 反向传输电容Crss=Cgd,也叫米勒电容。这个电容不是恒定的,它随着G极和D极间电压变化而...
实现SiC MOSFET的短路检测和保护的方法主要包括以下几个方面：快速短路检测：电流监测：通过监测SiC MOSFET的漏极电流，当电流异常快速上升超过预设阈值时，触发短路检测。由于SiC MOSFET的短路时间较短，因此检测系统需要具备高速响应能力。电压监测：同时监测SiC MOSFET的漏源电压，短路时DS电压可能会发生变化...
一般我们在测试Ciss时,是需要把DS端直接短路掉的,然后在控制极G端输入一个交流信号,这样的话,就有2个回路了,一个是经过Cgd,一个是经过Cgs。 既然有2个回路,那么我们就认为Cgd和Cgs是并联的关系,电容并联容值是不是相加啊,所以Ciss = Cgd+Cgs,这样就把Ciss测量出来了。 如果我们来测输出电容呢?是不是把GS...
有的SiC MOSFET没有短路能力,是因为它没有退饱和特性吗?非也,SiC MOSFET也有退饱和特性,只不过对于MOSFET,工作区的命名方式和IGBT正好相反,正常工作的状态为线性区。当DS之间电压上升到一定程度后,沟道夹断,电流随DS电压上升的趋势变小,这时MOSFET进入了饱和区。只不过从输出特性上看,对于SiC MOSFET,进入饱和的拐点...
还不行,还要考虑一种情况,那就是关断电流很大,快速关管的过程中,超高的di/dt结合回路杂散电感,会在DS两端形成一个非常高的电压峰值,一旦这个电压尖峰大于芯片的耐压极限,那么芯片也会因为电场强度太高而被击穿!(下图Vcepeak高了母线电压312V) 为了避免这种情况,不知道哪个大神发明了一种办法,不就是di/dt太高嘛...
与耗尽型MOSFET不同，增强型MOSFET在栅源电压Ugs为0V时，源极与漏极之间的DS是处于截止状态的。要使导电沟道开启，必须施加一定的正向栅源电压。首先，我们要明确，无论是JFET还是MOSFET的特性曲线，它们的核心都是探讨控制电压Ugs与输出电流Ids、电压Uds与输出电流Ids之间的相互关系。场效应管作为一种“压控型器件...