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目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了。 MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则: (1)MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各...
一、MOSFET简介 场效应管(MOSFET)也叫场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力，而且具备输入电阻高、噪声小、功耗低、驱动功率小、开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点，MOSFET在组合逻辑电路、放大器、电源管理、测量仪器等领域应用广泛。MOSFET按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道，...
此外,晶体管还有另外一个分支,叫场效应管(Field Effect Transistor,简称FET),由结型场效应管(Junction Field Effect Transistor,简称JFET,1952年诞生)和应用更为广泛的金属氧化物半导体场效应管(Meta Oxide Semiconductor FET,简称MOSFET,1960年诞生)组成。
MOSFET 全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，因为这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。它可以分为四大类：N沟道的耗尽型和增强型MOSFET，P沟道的耗尽型和增强型MOSFET。特点：输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，一般用作放大器、电子开关等用途。IGBT 全称绝缘栅双极型...
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压,产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,MOS...